Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

laman utama /  Produk /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1700V

GD300HFX170C2SA,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C2SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1700V 300A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC Y

Pembolehubah Tipikal

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

1829

W

Dioda

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

modul

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =300A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =300A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.88

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t vj =25 O C

355

n

t r

Masa naik

71

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

473

n

t F

Waktu kejatuhan

337

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

89.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

46.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t vj =125 O C

383

n

t r

Masa naik

83

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

549

n

t F

Waktu kejatuhan

530

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

126

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

68.5

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t vj =150 O C

389

n

t r

Masa naik

88

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

575

n

t F

Waktu kejatuhan

585

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

139

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

73.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =300A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.95

Saya F =300A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE =-15V ls =42 nH ,t vj =25 O C

68

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

202

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

34.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE =-15V ls =42 nH ,t vj =125 O C

114

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

211

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

61.2

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE =-15V ls =42 nH ,t vj =150 O C

136

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

217

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

73.9

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.082 0.127

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.033 0.051 0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G

Gambaran Ringkas

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000