GD300HFX120C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 300A.

Ciri-ciri

Rendah V CE(sat) IGBT Trench T teknologi

Pengelipatan pendek 10μs keupayaan

V CE (sat ) Dengan positif Suhu Pepejal

Maksimum suhu persimpangan 175O C

Kes induktans rendah

Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti-paralel

Tapak tembaga berasingan menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

Inverter untuk pemacu motor

AC dan DC servo Pemandu penggalak bertukar

Bekalan kuasa yang tidak terganggu

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C	496 300	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	600	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C	1685	W

Dioda

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang Umur	1200	V
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	300	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	600	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		Saya C =300A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			2.5		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		31.1		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.87		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =-15 ...+15V		2.33		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		313		n
t r	Masa naik			57		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			464		n
t F	Waktu kejatuhan			206		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			9.97		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			28.6		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		336		n
t r	Masa naik			66		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			528		n
t F	Waktu kejatuhan			299		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			21.1		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			36.6		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		345		n
t r	Masa naik			68		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			539		n
t F	Waktu kejatuhan			309		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			25.6		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			37.8		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V		1200		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		Saya F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Saya F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di⁄dt=6950A⁄μs,V GE =-15V, t j =25 O C		10.8		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			272		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			9.53		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di⁄dt=6090A⁄μs,V GE =-15V, t j =125 O C		24.2		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			276		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			18.4		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =300A, -di⁄dt=5440A⁄μs,V GE =-15V, t j =150 O C		33.6		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			278		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			20.6		mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		20		nH
r CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, terminal ke cip		1.10		mΩ
r thJC	Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)			0.089 0.150	K/W
r thCH	kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diod) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.029 0.048 0.009		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Berat bagi modul		350		G