Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

laman utama /  Produk /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD300FFA120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT, 1200V 300A, Pakej: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300FFA120C6S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
  • Skematik Litar Setara
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 300A.

Ciri-ciri

  • VCE(sat) rendah Teknologi IGBT parit
  • Kemampuan litar pendek 6μs
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu Pepejal
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

320

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

1063

W

Dioda

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

300

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

600

A

modul

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

Saya C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

Saya C =300A,V GE =15V, t j = 175 O C

1.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =8 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.36

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

t j =25 O C

405

n

t r

Masa naik

83

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

586

n

t F

Waktu kejatuhan

129

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

34.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

19.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

t j =125 O C

461

n

t r

Masa naik

107

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

676

n

t F

Waktu kejatuhan

214

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

48.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

26.6

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

t j = 175 O C

518

n

t r

Masa naik

124

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

738

n

t F

Waktu kejatuhan

264

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

58.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

31.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤7μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1150

A

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t j = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1110

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.00

V

Saya F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Saya F =300A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.50

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=3135A/μs, V GE =-15V, Ls=32nH, T j =25 O C

19.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

140

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

4.92

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=2516A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =125 O C

33.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

159

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

9.35

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=2204A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j = 175 O C

46.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

171

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

13.7

mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

21

nH

r CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce,Penghujung ke Cip

1.80

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.141 0.243

K/W

r thCH

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT )Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

m

Skru Pemasangan:M6

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G

Gambaran Ringkas

image(c3756b8d25).png

Skematik Litar Setara

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000