GD225HFX120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 225A.

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
Keupayaan litar pintas 10μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Suhu persimpangan maksimum 175 ℃
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

Inverter untuk pemacu motor
Penguat pemacu servo AC dan DC
Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =195 O C	338 225	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	450	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C	1071	W

Dioda

Simbol	Penerangan	nilai	unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang Umur	1200	V
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	225	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	450	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =225A,V GE =15V, t j =25 O C		1.75	2.20	V
		Saya C =225A,V GE =15V, t j =125 O C		2.00
		Saya C =225A,V GE =15V, t j =150 O C		2.05
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =8.16 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			0.7		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		23.3		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.65		NF
Q G	Bayaran pintu	V GE =-15 ...+15V		1.75		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =225A, r G = 1.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		136		n
t r	Masa naik			34		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			372		n
t F	Waktu kejatuhan			69		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			5.78		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			16.7		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =225A, r G = 1.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		145		n
t r	Masa naik			34		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			461		n
t F	Waktu kejatuhan			88		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			10.6		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			26.0		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =225A, r G = 1.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		153		n
t r	Masa naik			34		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			490		n
t F	Waktu kejatuhan			98		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			12.8		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			28.9		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		900		A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, t j =25 O C		25.9		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			345		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			11.8		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, t j =125 O C		49.5		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			368		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			21.6		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, t j =150 O C		56.4		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			391		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			24.5		mJ

NTC Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		20		nH
r CC’+EE’	Modul rintangan plumbum, terminal ke cip		1.10		mΩ
r thJC	Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)			0.140 0.203	K/W
r thCH	kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diod) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.030 0.044 0.009		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Berat bagi modul		350		G