GD200MLY120C2S, 3-tahap, Modul IGBT, STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

Modul IGBT , 3-tahap ,dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Kerugian pertukaran yang rendah
Suhu sambungan maksimum 175oC
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

Inverter untuk pemacu motor
Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan
Tenaga solar

Absolut Maksimum Penilaian T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

T1-T4 IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1200	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C = 100o C	337 200	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms	400	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 o C	1162	W

D1-D4 Diod

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V RRM	Tegangan Terbalik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	200	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms	400	A

D5,D6 Diod

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V RRM	Tegangan Terbalik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Arus Maju Berterusan Diod =0V,	200	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms	400	A

Modul

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
T jmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	o C
T jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	o C
T STG	Suhu penyimpanan Julat	-40 hingga +125	o C
V ISO	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

T1-T4 IGBT Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =200A,V GE =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		Saya C =200A,V GE =15V, T j =125 o C		1.95
		Saya C =200A,V GE =15V, T j =150 o C		2.00
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter Voltan	Saya C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			4.0		ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		20.7		nF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.58		nF
Q G	Bayaran pintu	V GE =- 15...+15V		1.55		μC
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C		150		n
t r	Masa naik			32		n
t d (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			330		n
t f	Waktu kejatuhan			93		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			11.2		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			11.3		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C		161		n
t r	Masa naik			37		n
t d (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			412		n
t f	Waktu kejatuhan			165		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			19.8		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			17.0		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C		161		n
t r	Masa naik			43		n
t d (dimatikan )	Matikan Masa Lembapan			433		n
t f	Waktu kejatuhan			185		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			21.9		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			19.1		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs,V GE =15V, T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V		800		A

D1-D4 Dioda Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju Voltan	Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Caj Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			228		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			7.7		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C		31.8		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			238		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			13.8		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C		36.6		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			247		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			15.2		mJ

D5,D6 Dioda Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju Voltan	Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Caj Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			228		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			7.7		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C		31.8		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			238		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			13.8		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C		36.6		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			247		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			15.2		mJ

NTC Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
R 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
δR/R	Pengecualian bagi R 100	T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

Modul Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	Unit
R thJC	Sambungan-ke-Kotak (setiap T 1-T4 IGBT) Sambungan-ke-Kotak (setiap D1-D4 Di ode) Sambungan-ke-Kotak (setiap D5,D6 Dio de)			0.129 0.237 0.232	K/W
R thCH	Case-to-Heatsink (per T1-T4 IGBT) Kotak-ke-Penyerap Haba (setiap D1-D4 Diode) Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut D5,D6 Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.073 0.134 0.131 0.010		K/W
M	Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0
G	Berat bagi Modul		340		g