Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

340

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

1190

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.75

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.58

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

150

n

t r

Masa naik

32

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

330

n

t F

Waktu kejatuhan

93

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

9.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =1. 1Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

161

n

t r

Masa naik

37

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

412

n

t F

Waktu kejatuhan

165

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

20.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

17.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =1. 1Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

161

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

433

n

t F

Waktu kejatuhan

185

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

22.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

19.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

2.40

2.90

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.95

Saya F =200A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.80

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

20.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

160

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

8.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

38.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

201

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

14.2

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

44.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

212

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

15.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.126

0.211

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.032

0.053

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G