GD200HFU120C8S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C =65 o C

262

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =150 o C

1315

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

3.00

3.45

V

Saya C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

3.80

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.4

5.3

6.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.3

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

13.0

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.85

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.10

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

87

n

t r

Masa naik

40

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

451

n

t f

Waktu kejatuhan

63

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

6.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

88

n

t r

Masa naik

44

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

483

n

t f

Waktu kejatuhan

78

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

11.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

13.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1300

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j =125 o C

2.00

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

13.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

236

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.6

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

23.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

269

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

10.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.095

0.202

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.135

0.288

0.046

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

200

g