GD200HFQ120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

324

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

1181

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =200A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =200A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =8.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.8

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.59

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj =25 O C

100

n

t r

Masa naik

72

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

303

n

t F

Waktu kejatuhan

71

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

26.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.11

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj =125 O C

99

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

325

n

t F

Waktu kejatuhan

130

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

33.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

8.58

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj =150 O C

98

n

t r

Masa naik

80

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

345

n

t F

Waktu kejatuhan

121

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

36.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.05

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Dipulihkan cas

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, L S =45 nH ,t vj =25 O C

19.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

96

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

5.66

mJ

Q r

Dipulihkan cas

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, L S =45 nH ,t vj =125 O C

29.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

106

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

8.56

mJ

Q r

Dipulihkan cas

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, L S =45 nH ,t vj =150 O C

32.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

107

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

9.24

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.127 0.163

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.036 0.046 0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G