Modul IGBT 1200V

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

294

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T = 175 O C

1056

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya C =200A,V GE =15V, t j = 125O C

2.40

Saya C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.55

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.75

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.58

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

374

n

t r

Masa naik

50

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

326

n

t F

Waktu kejatuhan

204

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

13.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

10.4

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

419

n

t r

Masa naik

63

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

383

n

t F

Waktu kejatuhan

218

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

20.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

419

n

t r

Masa naik

65

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

388

n

t F

Waktu kejatuhan

222

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

22.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

10.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

90

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

3.40

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

26.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

132

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

9.75

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

30.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

142

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

11.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.25

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.142

0.202

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G