GD200CEX120C8SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

A

Saya CRM

Ulang Puncak Kolektor Semasa tp terhad oleh t vjop

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

1293

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Arus Muka Depan Diod Berterusan ent

200

A

Saya Pendapatan

Ulang Puncak Maju Semasa tp terhad oleh t vjop

400

A

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =200A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.00

Saya C =200A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.05

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.6

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.52

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25 O C

140

n

t r

Masa naik

31

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

239

n

t F

Waktu kejatuhan

188

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

11.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

13.4

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125 O C

146

n

t r

Masa naik

36

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

284

n

t F

Waktu kejatuhan

284

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

19.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

18.9

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150 O C

148

n

t r

Masa naik

37

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

294

n

t F

Waktu kejatuhan

303

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

21.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

19.8

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, t vj =25 O C

20.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

220

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

7.5

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, t vj =125 O C

34.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

209

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

12.9

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, t vj =150 O C

38.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

204

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

14.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.116 0.185

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.150 0.239 0.046

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrin M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Berat bagi modul

200

G