GD150HFX170C1S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

229

150

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

300

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

815

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

300

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =150A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =150A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =150A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =6.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

5.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.44

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, L S = 70 nH , t j =25 O C

303

n

t r

Masa naik

75

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

417

n

t F

Waktu kejatuhan

352

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

42.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

25.3

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, L S = 70 nH ,t j =125 O C

323

n

t r

Masa naik

88

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

479

n

t F

Waktu kejatuhan

509

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

58.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

34.9

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, L S = 70 nH ,t j =150 O C

327

n

t r

Masa naik

90

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

498

n

t F

Waktu kejatuhan

608

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

65.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

40.2

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE =-15V L S = 70 nH , t j =25 O C

26.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

131

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

21.6

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE =-15V L S =70nH, T j =125 O C

48.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

140

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

40.1

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE =-15V L S =70nH, T j =150 O C

52.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

142

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

42.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

30

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.65

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.184 0.368

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.150 0.300 0.050

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

150

G