GD150HFU120C8SD ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 85 O C

238

150

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

300

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150 O C

1237

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

300

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =150A,V GE =15V, t vj =25 O C

2.90

3.35

V

Saya C =150A,V GE =15V, t vj =125 O C

3.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.50

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.60

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =150A, r G =6.8Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25 O C

183

n

t r

Masa naik

73.8

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

438

n

t F

Waktu kejatuhan

33.0

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

5.31

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =150A, r G =6.8Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125 O C

185

n

t r

Masa naik

74

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

476

n

t F

Waktu kejatuhan

44.5

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

15.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

7.74

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =150A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, t vj =25 O C

11.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

113

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

4.02

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, t vj =125 O C

22.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

139

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

8.58

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.101 0.257

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.028 0.071 0.010

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G