GD150HCX170C6SA ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

281

150

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

300

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

1136

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

300

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =150A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =150A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =150A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =6.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

4.3

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.44

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, r G =0.51Ω,V GE =±15V, ls =48 nH ,t vj =25 O C

206

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

337

n

t F

Waktu kejatuhan

331

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

39.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

21.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, r G =0.51Ω,V GE =±15V, ls =48 nH ,t vj =125 O C

232

n

t r

Masa naik

54

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

422

n

t F

Waktu kejatuhan

514

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

55.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

32.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, r G =0.51Ω,V GE =±15V, ls =48 nH ,t vj =150 O C

239

n

t r

Masa naik

57

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

442

n

t F

Waktu kejatuhan

559

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

60.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

34.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =150A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.95

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =150A,

-di⁄dt=2464A⁄μs,V GE =-15V ls =48 nH ,t vj =25 O C

42.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

142

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

22.3

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =150A,

-di⁄dt=1956A⁄μs,V GE =-15V ls =48 nH ,t vj =125 O C

64.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

147

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

35.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =150A,

-di⁄dt=1795A⁄μs,V GE =-15V ls =48 nH ,t vj =150 O C

72.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

148

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

38.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

1.10

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.132 0.209

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.029 0.047 0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G