GD1200SGX170A3S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

2206

1200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

2400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

8.77

kw

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

1200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

2400

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =1200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =1200A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =1200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

145

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

3.51

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =1200A, r G =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,t j =25 O C

440

n

t r

Masa naik

112

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1200

n

t F

Waktu kejatuhan

317

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

271

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

295

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =1200A, r G =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,t j =125 O C

542

n

t r

Masa naik

153

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1657

n

t F

Waktu kejatuhan

385

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

513

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

347

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =1200A, r G =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,t j =150 O C

547

n

t r

Masa naik

165

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1695

n

t F

Waktu kejatuhan

407

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

573

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

389

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

4800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

Saya F =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

Saya F =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =25℃

190

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

844

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

192

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =125℃

327

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

1094

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

263

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =150℃

368

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

1111

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

275

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

12

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.19

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

17.1 26.2

K/kW

r thCH

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT )Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

m

Terminal kuasa Skrin:M4 Terminal kuasa Skrin:M8 Skru Pemasangan:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Berat bagi modul

1050

G