GD1200HFX170C3S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1965

1200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

2400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

6.55

kw

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

1200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

2400

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =1200A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =1200A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =1200A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =48.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.6

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

3.57

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =1200A, r Gon = 1.5Ω, r Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =25 O C

700

n

t r

Masa naik

420

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1620

n

t F

Waktu kejatuhan

231

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

616

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

419

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =1200A, r Gon = 1.5Ω, r Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =125 O C

869

n

t r

Masa naik

495

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1976

n

t F

Waktu kejatuhan

298

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

898

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

530

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =1200A, r Gon = 1.5Ω, r Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =150 O C

941

n

t r

Masa naik

508

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

2128

n

t F

Waktu kejatuhan

321

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

981

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

557

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C ,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =1200A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =1200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =1200A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =25 O C

217

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

490

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

108

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =125 O C

359

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

550

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

165

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =150 O C

423

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

570

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

200

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.37

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

22.9 44.2

K/kW

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

18.2 35.2 6.0

K/kW

m

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Tork Sambungan Terminal, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat bagi modul

1500

G