GD100PIX120C6SNA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

155

100

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

511

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

100

A

Saya FSM

Arus Lonjakan Maju t P =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C

1150

880

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C

6600

3850

A 2S

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

87

50

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

100

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

308

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

25

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

50

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t jmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter,pembrem) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

O C

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =100A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =100A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =100A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

7.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.29

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G = 1.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

218

n

t r

Masa naik

35

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

287

n

t F

Waktu kejatuhan

212

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

9.23

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.85

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G = 1.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

242

n

t r

Masa naik

41

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

352

n

t F

Waktu kejatuhan

323

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

13.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.95

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G = 1.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

248

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

365

n

t F

Waktu kejatuhan

333

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

14.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

10.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

5.89

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

103

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

3.85

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

13.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

109

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

6.64

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

15.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

109

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

7.39

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =100A, t j =150 O C

0.95

V

Saya r

Arus terbalik

t j =150 O C,V r =1600V

2.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =50A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =50A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =50A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =2.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.15

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

171

n

t r

Masa naik

32

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

340

n

t F

Waktu kejatuhan

82

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

6.10

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

2.88

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

182

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

443

n

t F

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

8.24

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

4.43

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

182

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

464

n

t F

Waktu kejatuhan

175

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

8.99

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

4.94

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =25A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =25A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Saya F =25A,V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

2.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

55

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

0.93

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

5.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

58

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

1.72

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

5.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

60

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

2.01

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

40

nH

r CC’+EE’ r AA ’+ CC ’

Rintangan Pemimpin Modul nce,Penghujung ke Cip

4.00 3.00

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT -Inverter )

Sambungan-ke-Kes (setiap Dioda-invert er)

Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier)

Sambungan -kepada -kes (perIGBT -Brake -Chopper ) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-brake-chop setiap)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

r thCH

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -Inverter )

Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-dalam verter)

Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier)

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -Brake -Chopper )Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-penyakelar- chopper) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

m

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G