GD100HHU120C6SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =75 O C

146

100

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150 O C

771

W

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

200

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =25 O C

3.00

3.45

V

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =125 O C

3.80

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =4.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.50

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.42

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V GE =±15V, ls =48 nH ,t vj =25 O C

38

n

t r

Masa naik

50

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

330

n

t F

Waktu kejatuhan

27

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

8.92

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

2.06

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V GE =±15V, ls =48 nH ,t vj =125 O C

37

n

t r

Masa naik

50

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

362

n

t F

Waktu kejatuhan

43

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

10.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

3.69

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =125 O C ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

650

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V ls =48 nH ,t vj =25 O C

11.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

101

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

4.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V ls =48 nH ,t vj =125 O C

19.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

120

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

7.47

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t vj =100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

21

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

2.60

mΩ

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.162 0.401

K/W

r thCH

kes -kepada -Singki (perIGBT )

Kasus-ke-Sink (setiap Dioda)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.051 0.125 0.009

K/W

m

Tork Pemasangan, Skrup M6

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi modul

300

G