Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

laman utama /  Produk /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD100HFQ120C1SD,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 100A, pakej: C1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HFQ120C1SD
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
  • Skematik Litar Setara
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 100A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu persimpangan maksimum 175
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

  • Bekalan kuasa mod suis
  • Pemanasan induktif
  • Pengimpal elektronik

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

162

100

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

595

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

200

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =4.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

7.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.8

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.30

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G =5.1Ω, V GE =±15V, L S =45 nH ,t vj =25 O C

59

n

t r

Masa naik

38

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

209

n

t F

Waktu kejatuhan

71

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

11.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

3.15

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G =5.1Ω, V GE =±15V, L S =45 nH ,t vj =125 O C

68

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

243

n

t F

Waktu kejatuhan

104

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

14.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

4.36

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, r G =5.1Ω, V GE =±15V, L S =45 nH ,t vj =150 O C

71

n

t r

Masa naik

46

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

251

n

t F

Waktu kejatuhan

105

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

15.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

4.63

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

400

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di⁄dt=961A⁄μs,V GE =-15V L S =45 nH ,t vj =25 O C

7.92

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

46.4

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

2.25

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di⁄dt=871A⁄μs,V GE =-15V L S =45 nH ,t vj =125 O C

15.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

54.5

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

5.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =100A,

-di⁄dt=853A⁄μs,V GE =-15V L S =45 nH ,t vj =150 O C

18.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

58.9

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

6.67

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

30

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

0.75

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.252 0.446

K/W

r thCH

kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT )Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi modul

150

G

Gambaran Ringkas

Skematik Litar Setara

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000