Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

laman utama /  Produk /  modul IGBT  /  Modul IGBT 1700V

GD100HCX170C6SA ,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1700V 100A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HCX170C6SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1700V 100A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu persimpangan maksimum 175
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

196

100

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 O C

815

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

200

A

modul

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =100A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =4.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

7.5

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.29

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, ls =52 nH ,t vj =25 O C

196

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

298

n

t F

Waktu kejatuhan

367

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

26.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

14.7

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, ls =52 nH ,t vj =125 O C

217

n

t r

Masa naik

53

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

361

n

t F

Waktu kejatuhan

516

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

36.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

21.0

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =100A, r G =1.0Ω,V GE =±15V, ls =52 nH ,t vj =150 O C

223

n

t r

Masa naik

56

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

374

n

t F

Waktu kejatuhan

551

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

39.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

22.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.95

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1332A⁄μs,V GE =-15V ls =52 nH ,t vj =25 O C

26.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

78

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

14.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =100A,

-di⁄dt=1091A⁄μs,V GE =-15V ls =52 nH ,t vj =125 O C

42.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

86

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

23.7

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15V ls =52 nH ,t vj =150 O C

48.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

89

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

27.4

mJ

modul Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

r CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, terminal ke cip

1.10

r thJC

Sambungan -kepada -kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.184 0.274

K/W

r thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.060 0.090 0.009

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat bagi modul

350

G

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000