GD1000HTA75P6HT

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
Kerugian pertukaran rendah
Kemampuan litar pendek 6μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Suhu persimpangan maksimum 175 ℃
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Tapak tembaga pinfin berasingan menggunakan teknologi AMB Si3N4

Pembolehubah Tipikal

aplikasi automotif
Kenderaan hibrid dan elektrik
Inverter untuk pemacu motor

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	750	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya CN	Pelabur Cu yang dilaksanakan rental	1000	A
Saya C	Arus Pengumpul @ T F =125 O C	450	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	2000	A
P D	Pembahagian Kuasa Maksimum ation @ t F =75 O C t vj = 175 O C	1282	W

Dioda

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang Umur	750	V
Saya FN	Pelabur Cu yang dilaksanakan rental	1000	A
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	450	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	2000	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t vjmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t vjop	Suhu persimpangan operasi berterusan Untuk 10 saat dalam tempoh 30 saat, kejadian maksimum 3000 kali sepanjang hayat	-40 hingga +150 +150 hingga +175	O C
t STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V
D Creep	Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal	9.0 9.0	mm
D jelas	Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.10

1.35

V

Saya C =450A,V GE =15V, t vj =150 O C

1.10

Saya C =450A,V GE =15V, t vj = 175 O C

1.10

Saya C =1000A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.40

Saya C =1000A,V GE =15V, t vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =12.9 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.2

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C oes

Kapacitans Output

1.50

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.35

NF

Q G

Bayaran pintu

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 O C

244

n

t r

Masa naik

61

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

557

n

t F

Waktu kejatuhan

133

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

11.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

22.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 O C

260

n

t r

Masa naik

68

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

636

n

t F

Waktu kejatuhan

226

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

16.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

32.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 175 O C

264

n

t r

Masa naik

70

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

673

n

t F

Waktu kejatuhan

239

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

19.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

33.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

t vj = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Dioda Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.40	1.65	V
		Saya F =450A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.35
		Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.30
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C		1.80
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.80
Q r	Caj Dipulihkan	V r =400V,I F =450A, -di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t vj =25 O C		18.5		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			303		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			3.72		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =400V,I F =450A, -di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t vj =150 O C		36.1		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			376		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			8.09		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =400V,I F =450A, -di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t vj = 175 O C		40.1		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			383		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			9.01		mJ

NTC Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

modul Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		8		nH
r CC’+EE’	Rintangan Modul, Terminal Ke Cip		0.75		mΩ
P	Tekanan Maksimum dalam Kerangka Pendinginan Cute t Papan asas <40 O C t Papan asas >40 O C (tekanan relatif)			2.5 2.0	bar
r thJF	Sambungan -kepada -Penyejukan Cecair (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D iode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skru M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Berat bagi modul		750		G