GD1000HTA75P6HLT

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

750

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya CN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

1000

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T F =125 O C

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms

2000

A

P D

Pembahagian Kuasa Maksimum ation @ t F =75 O C t vj = 175 O C

1282

W

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang Umur

750

V

Saya FN

Pelabur Cu yang dilaksanakan rental

1000

A

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms

2000

A

Simbol

Penerangan

nilai

unit

t vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu persimpangan operasi berterusan

Untuk 10 saat dalam tempoh 30 saat, kejadian maksimum 3000 kali sepanjang hayat

-40 hingga +150 +150 hingga +175

O C

t STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Creep

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

9.0 9.0

mm

D jelas

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

4.5 4.5

mm

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.10

1.35

V

Saya C =450A,V GE =15V, t vj =150 O C

1.10

Saya C =450A,V GE =15V, t vj = 175 O C

1.10

Saya C =1000A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.40

Saya C =1000A,V GE =15V, t vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =12.9 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.2

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C oes

Kapacitans Output

1.50

NF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.35

NF

Q G

Bayaran pintu

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25 O C

244

n

t r

Masa naik

61

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

557

n

t F

Waktu kejatuhan

133

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

11.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

22.8

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150 O C

260

n

t r

Masa naik

68

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

636

n

t F

Waktu kejatuhan

226

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

16.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

32.2

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C =450A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 175 O C

264

n

t r

Masa naik

70

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

673

n

t F

Waktu kejatuhan

239

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

19.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

33.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 6μs, V GE =15V,

t vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

t vj = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju voltan

Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 2 5O C

1.40

1.65

V

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.35

Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.30

Saya F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

Saya F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.80

Q r

Caj Dipulihkan

V r =400V,I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t vj =25 O C

18.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

303

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

3.72

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =400V,I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t vj =150 O C

36.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

376

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

8.09

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =400V,I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,t vj = 175 O C

40.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

383

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

9.01

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

r 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

r 2=R 25Exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

L CE

Induktans Terbuang

8

nH

r CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.75

mΩ

P

Tekanan Maksimum dalam Kerangka Pendinginan Cute

t Papan asas <40 O C

t Papan asas >40 O C

(tekanan relatif)

2.5 2.0

bar

r thJF

Sambungan -kepada -Penyejukan Cecair (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D iode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

m

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skru M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat bagi modul

750

G