GD1000HFA75N5HT

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1000V 750A.

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
Kerugian pertukaran rendah
Kemampuan litar pendek 6μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Suhu persimpangan maksimum 175 ℃
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Tapak tembaga pinfin berasingan menggunakan Si ₃N ₄Teknologi AMB

Pembolehubah Tipikal

aplikasi automotif
Kenderaan hibrid dan elektrik
Inverter untuk pemacu motor

Absolut Maksimum Penilaian t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	750	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya CN	Pelabur Cu yang dilaksanakan rental	1000	A
Saya C	Kolektor Semasa t vj = 175 O C	680	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t P =1ms	1360	A
P D	Pembahagian Kuasa Maksimum ation @ t F =75 O C t vj = 175 O C	1086	W

Dioda

Simbol	Penerangan	Nilai	unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang Umur	750	V
Saya FN	Pelabur Cu yang dilaksanakan rental	1000	A
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	680	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t P =1ms	1360	A

modul

Simbol	Penerangan	nilai	unit
t vjmax	Suhu Sambungan Maksimum	175	O C
t vjop	Suhu persimpangan operasi berterusan	-40 hingga +150	O C
t STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =680A,V GE =15V, t vj =25 O C		1.25	1.50	V
		Saya C =680A,V GE =15V, t vj =150 O C		1.35
		Saya C =680A,V GE =15V, t vj = 175 O C		1.40
		Saya C =1000A,V GE =15V, t vj =25 O C		1.45
		Saya C =1000A,V GE =15V, t vj = 175 O C		1.70
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =9.60 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	5.5	6.5	7.0	V
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter voltan	Saya C =9.60 mA ,V CE = V GE , t vj = 175 O C		3.5		V
Saya CES	Kolektor Potongan -dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	nA
r Gint	Rintangan Dalaman Gate			1.0		Ω
C ies	Kapasiti input	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		NF
C oes	Kapacitans Output			1.51		NF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans			0.32		NF
Q G	Bayaran pintu	V CE =400V, Saya C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =400V,I C =680A, r G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, t vj =25 O C		196		n
t r	Masa naik			50		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			407		n
t F	Waktu kejatuhan			125		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			11.1		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			29.1		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =400V,I C =680A, r G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, t vj =150 O C		222		n
t r	Masa naik			63		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			471		n
t F	Waktu kejatuhan			178		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			19.7		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			37.4		mJ
t D (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =400V,I C =680A, r G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, t vj = 175 O C		224		n
t r	Masa naik			68		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			490		n
t F	Waktu kejatuhan			194		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			21.7		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			39.5		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤6μs,V GE =15V,		4000		A
		t vj =25 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V
		t P ≤3μs,V GE =15V, t vj = 175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300

Dioda Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
V F	Dioda Maju voltan	Saya F =680A,V GE =0V,T vj = 2 5O C		1.60	2.05	V
		Saya F =680A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.60
		Saya F =680A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.55
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj =25 O C		1.80
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 O C		1.75
Q r	Caj Dipulihkan	V r =400V,I F =680A, -di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,t vj =25 O C		19.9		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			458		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			6.10		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =400V,I F =680A, -di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,t vj =150 O C		29.7		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			504		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			9.70		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V r =400V,I F =680A, -di/dt=11740A/μs,V GE =- 10V, L S =16 nH ,t vj = 175 O C		34.5		μC
Saya RM	Puncak Terbalik arus pemulihan			526		A
E REC	Pemulihan Terbalik tenaga			11.0		mJ

PTC Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	unit
r	nominal rintangan	t C =0 O C t C =150 O C		1000 1573		Ω Ω
t cr	Kefifien Temperatur nt			0.38		%⁄K
t h	Diri sendiri pemanasan	t C =0 O C Saya m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

modul Ciri-ciri t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit
L CE	Induktans Terbuang		5		nH
P	Tekanan Maksimum dalam Kerangka Pendinginan Cute			2.5	bar
r thJF	Sambungan -kepada -Penyejukan Cecair (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D iode) △ V/ △ t=8.0 dm 3/Min ,t F =65 O C		0.080 0.115		K/W
m	Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrin M5	5.4 5.4		6.6 6.6	N.M
G	Berat bagi modul		220		G