Semua Kategori

IGBT Diskret

IGBT Diskret

Laman Utama /  Produk  /  IGBT Diskret

DG25X12T2, IGBT diskrit, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • Pengenalan
Pengenalan

Peringatan yang baik :F atau lebih IGBT Diskret , sila hantar e-mel.

Ciri-ciri

  • VCE(sat) rendah parit IGBT Teknologi
  • Keupayaan litar pintas 10μs
  • Kerugian pertukaran yang rendah
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu Pepejal
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Pakej tanpa plumbum

Tipikal Permohonan

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 110O C

50

25

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t P terhad oleh T jmax

100

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 O C

573

W

Dioda

Simbol

Penerangan

nilai

unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan semasa @ T C = 110O C

25

A

Saya FM

Dioda Maksimum Maju Semasa t P terhad oleh t jmax

100

A

Bersih

Simbol

Penerangan

Nilai

unit

t jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +175

O C

t STG

Suhu penyimpanan Julat

-55 hingga +150

O C

t S

Suhu Penyolderan,1.6mm dari kes untuk 10s

260

O C

m

Tork Pemasangan, Skrup M3

0.6

N.M

IGBT Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =25A, V GE =15V,

t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =25A, V GE =15V,

t j =125 O C

1.95

Saya C =25A, V GE =15V,

t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter voltan

Saya C =0.63 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

nA

r Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0

Ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

2.59

NF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.07

NF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

0.19

μC

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =25A, r G =20Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

28

n

t r

Masa naik

17

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

196

n

t F

Waktu kejatuhan

185

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

1.71

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

1.49

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =25A, r G =20Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

28

n

t r

Masa naik

21

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

288

n

t F

Waktu kejatuhan

216

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.57

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

2.21

mJ

t D (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =25A, r G =20Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

28

n

t r

Masa naik

22

n

t D (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

309

n

t F

Waktu kejatuhan

227

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.78

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

2.42

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

100

A

Dioda Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

unit

V F

Dioda Maju

voltan

Saya F =25A,V GE =0V,T j =25 O C

2.20

2.65

V

Saya F =25A,V GE =0V,T j = 125O C

2.30

Saya F =25A,V GE =0V,T j = 150O C

2.25

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

1.43

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

34

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

0.75

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V t j = 125O C

2.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

42

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

1.61

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE =-15V t j = 150O C

2.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

arus pemulihan

44

A

E REC

Pemulihan Terbalik tenaga

2.10

mJ

Bersih Ciri-ciri t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

unit

r thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.262

0.495

K/W

r thJA

Sambungan-ke-Ambient

40

K/W

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000