GD300SGU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

GD300SGU120C2S

Unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ TC=25℃

@ TC=80℃

440

300

A

ICM

Arus Pengumpul Berdenyut tp=1ms

600

A

IF

Arus Maju Berterusan Diode @ TC=80℃

300

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode tp=1ms

600

A

PD

Pembaziran kuasa maksimum @ Tj=150℃

2272

W

Tjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

℃

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

℃

VISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Tork Pemasangan

Skru Terminal Isyarat:M4

1.1 hingga 2.0

Skru Terminal Kuasa:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Skru Pemasangan:M6

3.0 hingga 5.0

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V ((BR) CES

Kolektor-Pemancar

Voltan Runtuh

Tj=25℃

1200

V

ICES

Pemotongan Kolektor

Semasa

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Arus Kebocoran Gate-Emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

VGE(th)

Tegangan Ambang Gate-Emitter

IC=3.0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

V

VCE (sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C

3.10

3.55

V

IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C

3.45

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω,

V GE =±15V, T j =25 ℃

662

n

t r

Masa naik

142

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

633

n

t f

Waktu kejatuhan

117

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

19.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

22.4

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =300A, R G =3.3Ω,

V GE =±15V, T j =125 ℃

660

n

t r

Masa naik

143

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

665

n

t f

Waktu kejatuhan

137

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

24.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

28.4

mJ

C ies

Kapasiti input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

25.3

nF

C oes

Kapacitans Output

2.25

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.91

nF

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15 V,

T j =125 ℃, V CC =900V, V CEM ≤1200V

2550

A

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Kepala Modul

Rintangan,

Terminal ke cip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =300A

T j =25 ℃

1.82

2.25

V

T j =125 ℃

1.95

Q r

Dipulihkan

Cas

Saya F =300A,

V R =600V,

R G =3.3Ω,

V GE =-15V

T j =25 ℃

29.5

μC

T j =125 ℃

42.3

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

T j =25 ℃

210

A

T j =125 ℃

272

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

T j =25 ℃

16.4

mJ

T j =125 ℃

22.7

Simbol

Parameter

- TIP.

Max.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.055

K/W

R θ JC

Junction-to-Case (per D Iode)

0.092

K/W

R θ CS

Kes-ke Sink (Minyak pelincir konduktif app lied)

0.035

K/W

Berat

Berat Modul

300

g