H50ZPU, Dioda Pengubah

Saya _T(AV)

900A

V _RRM

8100V 8300V

8500V

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TAIP

Max

IF(AV)

Arus hadapan purata

180° separuh gelombang sinus 50Hz Dingin dua sisi

TC=85 ℃

150

900

A

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Arus puncak berulang

pada VRRM tp=10ms

150

200

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang separuh sinus. VR=0.6VRRM

150

10

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

500

10³A ²S

VFO

Voltan Ambang

150

1.00

V

rF

Rintangan cerun hadapan

1.00

mΩ

VFM

Voltaj puncak hadapan

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

V

Qrr

Bayaran pemulihan

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

μC

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 180 ° sinus. penyejukan sisi berganda Daya cengkaman 24kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

0.005

FM

Kekuatan Pemasangan

19

26

kN

TVj

suhu persimpangan

-40

150

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

160

℃

Wt

Berat

560

G

Gambaran Ringkas

ZT50dT