4500V

매개 변수/参数

상징/符号

조건/条件

분

최대

단위

컬렉터-이미터 전압 集电极- 발사압

vCES

vGE =0V,Tvj ≥25°C

4500

v

DC 수집기 전류 集电极电流

ic

tc =80°C

900

a

피크 수집기 전류 集电极峰值 전류

icm

tp=1ms,Tc=80°C

1800

a

게이트-이미터 전압 极 발사极 전압

vGES

-20

20

v

전체 전력 소모 총 전력 손실

ptot

tc =25°C,개발 스위치 (IGBT)

8100

w

동전 전류 직류 정류 전류

if

900

a

전류 최고 峰值 정면 전류

iFRM

tP=1ms

1800

a

급증 전류 浪涌电流

iFSM

vr =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사상파

6700

a

IGBT 단축 회로 SOA IGBT 短路安全工作区

tpsc

vcc =3400V,VCEMCHIP≤4500V vGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

격리 전압 绝缘 전압

v단독

1분, f=50Hz

10200

v

접점 온도 结温

tvj

150

°C

교차점 작동 온도부산 작업 냉각

tvj ((op)

-50

125

°C

케이스 온도 温

tc

-50

125

°C

저장 온도 저장 온도

tSTG

-50

125

°C

장착 모터 력 전동

ms

4

6

nm

mt1

8

10

mt2

2

3

매개 변수/参数

상징/符号

조건/条件

분

종류

최대

단위

수집가 (- 발사자) 분산 전압

集电极- 방출极阻断 전압

v(BR) CES

vGE =0V,IC=10mA, TVj=25°C

4500

v

컬렉터-이미터 포화 전압

集电极- 발사폭과 전압

vCEsat

ic =900A, vGE =15V

TVj= 25°C

2.7

3.2

v

TVj=125°C

3.4

3.8

v

픽터 차단 전류 集电极截止电流 전류

iCES

vc =4500V, vGE =0V

TVj= 25°C

10

엄마

TVj=125°C

100

엄마

포트 누출 전류 极漏电流

iGES

vc =0V,VGE =20V, tvj =125°C

-500

500

아

포트-에미터 임계 전압 极 발사极값 전압

vGE (th)

ic =240mA,Vc =VGE, tvj =25°C

4.5

6.5

v

포트 부과 极电荷

qg

ic =900A,Vc =2800V, vGE =-15V ... 15v

8.1

μC

입력 용량 输入电容

c소

vc =25V,VGE =0V,- 그래f=1MHz,Tvj =25°C

105.6

NF

출력 용량 输出电容

c소

7.35

역전환 용량 역전환 전력

cres

2.04

켜기 지연 시간 开通延延时间

td(on)

vcc =2800V,

ic =900A,

rg =2.2오 ,

vGE =±15V,

난σ=280nH,

感性负载

TVj =   25 °c

680

NS

TVj = 125 °c

700

상승 시간 上升时间

tr

TVj =   25 °c

230

TVj = 125 °c

240

차단 지연 시간 关断延迟时间

td(끄다)

TVj =   25 °c

2100

NS

TVj = 125 °c

2300

하강 시간 下降时间

tf

TVj = 25 °c

1600

TVj = 125 °c

2800

팅 스위치 에너지 손실 开通 손실 에너지

e에

TVj = 25 °c

1900

mj

TVj =125 °c

2500

그림 전환 에너지 손실 断断损耗能量 (단절 에너지 손실)

e끄다

TVj = 25 °c

3100

mj

TVj =125 °c

3800

단회로 전류 短路 전류

isc

tpsc≤ 10μs, VGE =15V,   tvj= 125°C,Vcc = 3400V

3600

a