특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 참고
igt
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
vCES |
컬렉터-이미터 전압 |
1700 |
v |
|
vGES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
v |
|
ic |
집합 전류 @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
1073 650 |
a |
|
icm |
펄스 콜렉터 전류 tp=1ms |
1300 |
a |
|
pd |
최대 전력 분산 @ Tj=175oc |
4.2 |
kw |
다이오드
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
vRRM |
반복 피크 역전압 |
1700 |
v |
|
if |
다이오드 연속 전면 커임대료 |
650 |
a |
|
ifm |
다이오드 최대 전류 tp=1ms |
1300 |
a |
모듈
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
tjmax |
최대 분기 온도 |
175 |
oc |
|
tjop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
oc |
|
tSTG |
저장 온도범위 |
-40에서 +150 |
oc |
|
viso |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 |
4000 |
v |
igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
ic=650A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.90 |
2.35 |
v |
|
ic=650A,VGE=15V, tj=125oc |
|
2.35 |
|
|||
|
ic=650A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.45 |
|
|||
|
vGE(제1회) |
게이트 발산자 문 전압 |
ic=24.0엄마,vc=vGE, tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
iCES |
수집가 절단- 그래끄다 전류 |
vc=vCES,vGE=0V, tj=25oc |
|
|
5.0 |
엄마 |
|
iGES |
게이트 발사자 누출 전류 |
vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
아 |
|
rGint |
내부 게이트 저항ance |
|
|
2.3 |
|
오 |
|
c소 |
입력 용량 |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
72.3 |
|
NF |
|
cres |
역전환 용량 |
|
1.75 |
|
NF |
|
|
qg |
게이트 요금 |
vGE=- 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=650A, rGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,vGE=±15V,Tj=25oc |
|
468 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
86 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
850 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
363 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
226 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
161 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=650A, rGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,vGE=±15V,Tj= 125oc |
|
480 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
110 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
1031 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
600 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
338 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
226 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=650A, rGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,vGE=±15V,Tj= 150oc |
|
480 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
120 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
1040 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
684 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
368 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
242 |
|
mj |
|
|
isc |
SC 데이터 |
tp≤ 10μs,VGE=15V, tj=150oC,Vcc= 1000V, 브CEM≤1700V |
|
2600 |
|
a |
다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vf |
다이오드 앞 전압 |
if=650A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.85 |
2.30 |
v |
|
if=650A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.98 |
|
|||
|
if=650A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
2.02 |
|
|||
|
qr |
회복 전하 |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15vtj=25oc |
|
176 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
765 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
87.4 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 전하 |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc |
|
292 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
798 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
159 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 전하 |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc |
|
341 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
805 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
192 |
|
mj |
NTC 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
r25 |
등급 저항 |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
ΔR/R |
오차 의 r100 |
tc= 100 oC,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
전력 분산 |
|
|
|
20.0 |
mw |
|
b25/50 |
B값 |
r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
B값 |
r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
B값 |
r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
모듈 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
난c |
방랑 인덕턴스 |
|
18 |
|
NH |
|
rCC+EE |
모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
|
0.30 |
|
mΩ |
|
rthJC |
부문별 (IGB당)T) 부대와 부대 (D당)요오드) |
|
|
35.8 71.3 |
K/kW |
|
rthCH |
케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (per 다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
K/kW |
|
m |
단자 연결 토크, 나사 M4 터미널 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
n.m |
|
g |
무게 의 모듈 |
|
810 |
|
g |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
EN
