키 매개 변수
|
vCES |
3300 v |
|
vc(위성) |
(전형) 2.40 v |
|
ic |
(최대) 1000 a |
|
iC(rm) |
(최대) 2000 a |
전형적인 응용 프로그램
전형적인 응용 프로그램
절대 최대 정격
|
(기호) |
(매개변수) |
(테스트 조건) |
(값) |
(단위) |
|
VCES |
컬렉터-이미터 전압 |
VGE = 0V, TC= 25 °C |
3300 |
v |
|
VGES |
게이트-이미터 전압 |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
|
I C |
컬렉터-이미터 전류 |
TC = 95 °C |
1000 |
a |
|
IC(PK) |
피크 컬렉터 전류 |
t P= 1ms |
2000 |
a |
|
P max |
최대 트랜지스터 전력 소산 |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
kw |
|
I 2t |
다이오드 I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
|
Visol |
모듈당 절연 전압 |
공통 단자를 베이스 플레이트에), AC RMS,1 분, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
v |
|
Q PD |
모듈당 부분 방전 |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pc |
전기적 특성
|
(기호) |
(매개변수) |
(테스트 조건) |
(분) |
(전형) |
(최대) |
(단위) |
|
|
I CES |
컬렉터 차단 전류 |
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
엄마 |
|
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
|
60 |
엄마 |
|||
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
|
100 |
엄마 |
|||
|
I GES |
게이트 누설 전류 |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
게이트 임계 전압 |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
|
VCE |
(*1) (포화) |
컬렉터-이미터 포화 전압 |
VGE= 15V, I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
v |
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
v |
|||
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
v |
|||
|
I F |
다이오드 순방향 전류 |
dc |
|
1000 |
|
a |
|
|
I FRM |
다이오드 최대 전류 |
t P = 1ms |
|
2000 |
|
a |
|
|
VF(*1) |
다이오드 순방향 전압 |
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
v |
|
|
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
C ies |
입력 용량 |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
170 |
|
NF |
|
|
Q g |
게이트 요금 |
±15V |
|
17 |
|
μC |
|
|
C res |
역전환 용량 |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
4 |
|
NF |
|
|
L M |
모듈 인덕턴스 |
|
|
15 |
|
NH |
|
|
R INT |
내부 트랜지스터 저항 |
|
|
165 |
|
μΩ |
|
|
I SC |
단락 전류, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3900 |
|
a |
|
|
td(off) |
차단 지연 시간 |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1800 |
|
NS |
|
t f |
하강 시간 |
|
530 |
|
NS |
|
|
E OFF |
차단 에너지 손실 |
|
1600 |
|
mj |
|
|
td(on) |
턴온 지연 시간 |
|
680 |
|
NS |
|
|
t r |
상승 시간 |
|
320 |
|
NS |
|
|
EON |
켜기 에너지 손실 |
|
1240 |
|
mj |
|
|
Q rr |
다이오드 역회복 전하 |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
|
780 |
|
μC |
|
I rr |
다이오드 역회복 전류 |
|
810 |
|
a |
|
|
E rec |
다이오드 역회복 에너지 |
|
980 |
|
mj |
|
|
td(off) |
차단 지연 시간 |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1940 |
|
NS |
|
t f |
하강 시간 |
|
580 |
|
NS |
|
|
E OFF |
차단 에너지 손실 |
|
1950 |
|
mj |
|
|
td(on) |
턴온 지연 시간 |
|
660 |
|
NS |
|
|
t r |
상승 시간 |
|
340 |
|
NS |
|
|
EON |
켜기 에너지 손실 |
|
1600 |
|
mj |
|
|
Q rr |
다이오드 역회복 전하 |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
|
1200 |
|
μC |
|
I rr |
다이오드 역회복 전류 |
|
930 |
|
a |
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