1700V

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(값)

(단위)

VCES

컬렉터-이미터 전압

V GE = 0V, TC= 25ᅳc

1700

v

V GES

게이트-이미터 전압

TC= 25ᅳc

± 20

v

I C

컬렉터-이미터 전류

TC  = 80ᅳc

800

a

I C(PK)

피크 컬렉터 전류

t P=1ms

1600

a

P max

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj  = 150ᅳC, TC = 25ᅳc

6.94

kw

I 2t

다이오드 I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125ᅳc

120

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

(기판에 공통 터미널),

AC RMS,1 분, 50Hz,TC= 25ᅳc

4000

v

Q PD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25ᅳc

10

pc

(상징)

 (매개 변수)

(테스트 조건)

(분)

(유형)

(최대)

(단위)

I CES

컬렉터 차단 전류

V GE = 0V,VCE  = VCES

1

엄마

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

25

엄마

I GES

게이트 누설 전류

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

게이트 임계 전압

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

VCE (sat)(*1)

수집기-출사기 포화 전압

V GE =15V, I C  = 800A

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

v

I F

다이오드 순방향 전류

직류dc

800

a

I FRM

다이오드 최대 전류

t P = 1ms

1600

a

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

I F = 800A

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

1.80

2.10

v

C ies

입력 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

NF

Q g

게이트 요금

±15V

9

μC

C res

역전환 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

- 그래

NF

L M

모듈 인덕턴스

20

NH

R INT

내부 트랜지스터 저항

270

μΩ

I SC

단락 전류, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

a

td(off)

차단 지연 시간

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

NS

t f

하강 시간

220

NS

E OFF

차단 에너지 손실

220

mj

td(on)

턴온 지연 시간

320

NS

t r

상승 시간

190

NS

EON

켜기 에너지 손실

160

mj

Q rr

다이오드 역회복 전하

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

510

a

E rec

다이오드 역회복 에너지

180

mj

td(off)

차단 지연 시간

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

NS

t f

하강 시간

280

NS

E OFF

차단 에너지 손실

290

mj

td(on)

턴온 지연 시간

400

NS

t r

상승 시간

250

NS

EON

켜기 에너지 손실

230

mj

Q rr

다이오드 역회복 전하

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

580

a

E rec

다이오드 역회복 에너지

280

mj