1200v

상징

설명

값

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1522

900

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

1800

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175oc

5.24

kw

상징

설명

값

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

900

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1800

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=900A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=900A,VGE=15V, tj=125oc

1.95

ic=900A,VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=22.5엄마,vc=vGE, tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

1.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.63

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

93.2

NF

cres

역전환

용량

2.61

NF

qg

게이트 요금

vGE=-15 - 네+15V

6.99

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,- 그래rg=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

214

NS

tr

상승 시간

150

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

721

NS

tf

하강 시간

206

NS

e에

켜 전환

손실

76

mj

e끄다

그림 전환

손실

128

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,- 그래rg=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=125oc

235

NS

tr

상승 시간

161

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

824

NS

tf

하강 시간

412

NS

e에

켜 전환

손실

107

mj

e끄다

그림 전환

손실

165

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,- 그래rg=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=150oc

235

NS

tr

상승 시간

161

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

876

NS

tf

하강 시간

464

NS

e에

켜 전환

손실

112

mj

e끄다

그림 전환

손실

180

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=150oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

3600

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=900A,VGE=0V,Tj=25oc

1.90

2.25

v

if=900A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

if=900A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.80

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE=-15V tj=25oc

86

μC

irm

피크 역전

회복 전류

475

a

erec

역회복에너지

36.1

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE=-15V tj= 125oc

143

μC

irm

피크 역전

회복 전류

618

a

erec

역회복에너지

71.3

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE=-15V tj= 150oc

185

μC

irm

피크 역전

회복 전류

665

a

erec

역회복에너지

75.1

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 의 r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력

분산

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B값

r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B값

r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

18

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.30

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

28.6

51.9

K/kW

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (per 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

14.0

25.3

4.5

K/kW

m

단자 연결 토크, 나사 M4 터미널 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

n.m

g

무게 의 모듈

825

g