1200v

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±30

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1250

800

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp= 1밀리초

1600

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175oc

4166

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

800

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1600

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=800A,VGE= 15V,tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=800A,VGE= 15V,tj=125oc

1.95

ic=800A,VGE= 15V,tj=150oc

2.00

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=32.0엄마,vc=vGE, tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.13

오

c소

입력 용량

vc=30V,f=1MHz,

vGE=0V

79.2

NF

cres

역전환

용량

2.40

NF

qg

게이트 요금

vGE= 15v

4.80

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=800A,- 그래rg= 1.0Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

408

NS

tr

상승 시간

119

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

573

NS

tf

하강 시간

135

NS

e에

켜 전환

손실

21.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

72.4

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=800A,- 그래rg= 1.0Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

409

NS

tr

상승 시간

120

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

632

NS

tf

하강 시간

188

NS

e에

켜 전환

손실

26.4

mj

e끄다

그림 전환

손실

107

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=800A,- 그래rg= 1.0Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

410

NS

tr

상승 시간

123

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

638

NS

tf

하강 시간

198

NS

e에

켜 전환

손실

28.8

mj

e끄다

그림 전환

손실

112

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE= 15V,

tj=150oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

3200

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=800A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

if=800A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

if=800A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.85

qr

회복 전하

vr=600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vGE=- 15vtj=25oc

81.0

μC

irm

피크 역전

회복 전류

518

a

erec

역회복에너지

39.4

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vGE=- 15v tj= 125oc

136

μC

irm

피크 역전

회복 전류

646

a

erec

역회복에너지

65.2

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc

155

μC

irm

피크 역전

회복 전류

684

a

erec

역회복에너지

76.6

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.18

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.036

0.048

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (per 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.123

0.163

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M4 터미널 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 의 모듈

300

g