특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
igt
|
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
|
vCES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
v |
|
vGES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
v |
|
ic |
집합 전류 @ Tc=100oc |
800 |
a |
|
icm |
펄스 콜렉터 전류 tp=1ms |
1600 |
a |
|
pd |
최대 전력 분산 @ Tvj=175oc |
4687 |
w |
다이오드
|
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
|
vRRM |
반복적 피크 역전압나이 |
1200 |
v |
|
if |
다이오드 연속 정방향 Cu임대료 |
900 |
a |
|
ifm |
다이오드 최대 전류 tp=1ms |
1800 |
a |
|
iFSM |
전류 전류 tp=10ms @ Tvj=125oc @ Tvj=175oc |
2392 2448 |
a |
|
i2t |
i2t-가치,tp=10ms@tvj=125oc@ Tvj=175oc |
28608 29964 |
a2s |
모듈
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
tvjmax |
최대 분기 온도 |
175 |
oc |
|
tvjop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
oc |
|
tSTG |
저장 온도 범위 |
-40에서 +125 |
oc |
|
viso |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 |
2500 |
v |
igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
ic=800A,VGE=15V, tvj=25oc |
|
1.40 |
1.85 |
v |
|
ic=800A,VGE=15V, tvj=125oc |
|
1.60 |
|
|||
|
ic=800A,VGE=15V, tvj=175oc |
|
1.60 |
|
|||
|
vGE(제1회) |
게이트 발산자 문 전압 |
ic=24.0엄마,vc=vGE, tvj=25oc |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
v |
|
iCES |
수집가 절단- 그래끄다전류 |
vc=vCES,vGE=0V, tvj=25oc |
|
|
1.0 |
엄마 |
|
iGES |
게이트 발사자 누출 전류 |
vGE=vGES,vc=0V,tvj=25oc |
|
|
400 |
아 |
|
rGint |
내부 게이트 저항ance |
|
|
0.5 |
|
오 |
|
c소 |
입력 용량 |
vc=25V,f=100kHz, vGE=0V |
|
28.4 |
|
NF |
|
cres |
역전환 용량 |
|
0.15 |
|
NF |
|
|
qg |
게이트 요금 |
vGE=-15...+15V |
|
2.05 |
|
μC |
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=800A, rg=0.5Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V tvj=25oc |
|
168 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
78 |
|
NS |
|
|
td(off) |
그림 지연 시간 |
|
428 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
123 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
43.4 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
77.0 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=800A, rg=0.5Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V tvj=125oc |
|
172 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
84 |
|
NS |
|
|
td(off) |
그림 지연 시간 |
|
502 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
206 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
86.3 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
99.1 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=800A, rg=0.5Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V tvj=175oc |
|
174 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
90 |
|
NS |
|
|
td(off) |
그림 지연 시간 |
|
531 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
257 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
99.8 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
105 |
|
mj |
|
|
isc |
SC 데이터 |
tp≤8μs,vGE=15V, tvj=150oC, vcc=800V, vCEM ≤1200v |
|
2600 |
|
a |
|
tp≤6μs,vGE=15V, tvj=175oC, vcc=800V, vCEM ≤1200v |
|
2500 |
|
a |
다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vf |
다이오드 앞 전압 |
if=900A,VGE=0V,Tvj=25oc |
|
1.60 |
2.00 |
v |
|
if=900A,VGE=0V,Tvj=125oc |
|
1.60 |
|
|||
|
if=900A,VGE=0V,Tvj=175oc |
|
1.50 |
|
|||
|
qr |
회복 전하 |
vr=600V,If=800A, -di/dt=7778A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,tvj=25oc |
|
47.7 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
400 |
|
a |
|
|
erec |
역회복 에너지 |
|
13.6 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 전하 |
vr=600V,If=800A, -di/dt=7017A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,tvj=125oc |
|
82.7 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
401 |
|
a |
|
|
erec |
역회복 에너지 |
|
26.5 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 전하 |
vr=600V,If=800A, -di/dt=6380A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,tvj=175oc |
|
110 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
413 |
|
a |
|
|
erec |
역회복 에너지 |
|
34.8 |
|
mj |
NTC 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
r25 |
등급 저항 |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
∆R/R |
오차 의 r100 |
tc=100 oc,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
전력 분산 |
|
|
|
20.0 |
mw |
|
b25/50 |
B값 |
r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
B값 |
r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
B값 |
r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
모듈 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
난c |
방랑 인덕턴스 |
|
20 |
|
NH |
|
rCC+EE |
모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
|
0.80 |
|
mΩ |
|
rthJC |
교차점- 그래에- 그래케이스(perIGBT) 커스 (D) 에 대한 연결오드) |
|
|
0.032 0.049 |
K/W |
|
rthCH |
케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (per 다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
|
m |
단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
n.m |
|
g |
무게 의 모듈 |
|
350 |
|
g |
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