1200v

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1090

600

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

1200

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175oc

3947

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

600

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

1200

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=600A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=600A,VGE=15V, tj=125oc

1.90

ic=600A,VGE=15V, tj=150oc

1.95

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=24.0엄마,vc=vGE, tj=25oc

5.2

5.8

6.4

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

1.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.7

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

62.1

NF

cres

역전환

용량

1.74

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

4.62

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=600A,- 그래rg=1.5Ω,VGE=±15V, tj=25oc

136

NS

tr

상승 시간

77

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

494

NS

tf

하강 시간

72

NS

e에

켜 전환

손실

53.1

mj

e끄다

그림 전환

손실

48.4

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=600A,- 그래rg=1.5Ω,VGE=±15V, tj=125oc

179

NS

tr

상승 시간

77

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

628

NS

tf

하강 시간

113

NS

e에

켜 전환

손실

70.6

mj

e끄다

그림 전환

손실

74.2

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=600A,- 그래rg=1.5Ω,VGE=±15V, tj=150oc

179

NS

tr

상승 시간

85

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

670

NS

tf

하강 시간

124

NS

e에

켜 전환

손실

76.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

81.9

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=150oC,Vcc=800V, vCEM≤1200V

2400

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=600A,VGE=0V,Tj=25oc

1.95

2.40

v

if=600A,VGE=0V,Tj=125oc

2.05

if=600A,VGE=0V,Tj=150oc

2.10

qr

회복 전하

vcc=600V,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

58.9

μC

irm

피크 역전

회복 전류

276

a

erec

역회복에너지

20.9

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=- 15V,tj=125oc

109

μC

irm

피크 역전

회복 전류

399

a

erec

역회복에너지

41.8

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=- 15V,tj=150oc

124

μC

irm

피크 역전

회복 전류

428

a

erec

역회복에너지

48.5

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 의 r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력

분산

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B값

r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B값

r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

rthJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.038

0.066

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (per 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m

g

무게 의 모듈

350

g