1200v

상징

설명

GD450HFT120C6S_G8

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±30

v

ic

집합 전류  @ Tc=25°C

@ Tc=100°C

660

450

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

900

a

if

다이오드 연속 정방향 Cu임대료

450

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

900

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175°C

2083

w

tjmax

최대 분기 온도

175

°C

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

°C

tSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

°C

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0에서 6.0

3.0에서 6.0

n.m

g

무게 의 모듈

910

g

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V, tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg=1.5Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

360

NS

tr

상승 시간

140

NS

td(off)

그림 지연 시간

550

NS

tf

하강 시간

146

NS

e에

켜 전환

손실

11.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

48.0

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg=1.5Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

374

NS

tr

상승 시간

147

NS

td(off)

그림 지연 시간

623

NS

tf

하강 시간

178

NS

e에

켜 전환

손실

17.9

mj

e끄다

그림 전환

손실

64.5

mj

c소

입력 용량

vc=30V,f=1MHz,

vGE=0V

39.0

NF

cres

역전환

용량

1.26

NF

isc

SC 데이터

tp≤10μs,vGE=15V,

tj=125°CVcc=900V, vCEM≤1200V

1800

a

rGint

내부 게이트 저항ance

0.67

오

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=450A

tj=25°C

1.65

2.25

v

tj=125°C

1.65

qr

회복

부과

if=450A,

vr=600V,

rg=1.5Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

41.6

μC

tj=125°C

77.5

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

241

a

tj=125°C

325

erec

역회복 에너지

tj=25°C

23.2

mj

tj=125°C

43.1

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 r100

r100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력 소모

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래

1/(298.15K))]

3375

k

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부문별 (IGB당)T)

0.072

K/W

rθJC

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.110

K/W

rθcs

케이스-트심크 (전도성 지방))

0.005

K/W