1200v

상징

설명

GD450HTL120C7S

단위

vCES

수집기-출력기 전압 @ Tj=25°C

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집기 전류 @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

900

450

a

icm

펄스 컬렉터 전류    tp=1ms

900

a

ptot

전력 분산@ Tj= 175°C

3191

w

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다 전류

vc=vCES,vGE=0V, tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출

전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문

전압

ic=18.0엄마,vc=vGE,tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=450A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

ic=450A,VGE=15V, tj= 125°C

2.20

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

4.6

μC

e에

팅 스위치

손실

vcc=600V,Ic=450A,  rg=2.3Ω,VGE=±15V, tj=25°C

48

mj

e끄다

그림 전환

손실

28

mj

etot

전체 전환 손실

76

mj

e에

팅 스위치

손실

vcc=600V,Ic=450A,  rg=2.3Ω,VGE=±15V, tj= 125°C

66

mj

e끄다

그림 전환

손실

45

mj

etot

전체 전환 손실

111

mj

d(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,rg=2.3Ω,VGE= ±15 v,tj=25°C

205

NS

tr

상승 시간

70

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

465

NS

tf

하강 시간

50

NS

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,rg=2.3Ω,VGE= ±15 v, tj= 125°C

225

NS

tr

상승 시간

70

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

520

NS

tf

하강 시간

75

NS

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

31.8

NF

c소

출력 용량

2.13

NF

cres

역전환

용량

1.41

NF

isc

SC 데이터

tsc≤10μs,VGE ≤15 v, tj= 125°CVcc=600V, 브CEM≤1200v

2250

a

rGint

내부 게이트 저항저항

0.7

오

상징

설명

GD450HTL120C7S

단위

vRRM

수집기-출력기 전압 @ Tj=25°C

1200

v

if

DC 전류 @ Tc=80°C

450

a

iFRM

반복적 피크 전류 tp=1ms

900

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=450A,vGE=0V

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.90

qr

회복 전하

vr=600 v,

if=450A,

rg=2.3Ω,

vGE=- 15v

tj=25°C

58

μC

tj= 125°C

99

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

372

a

tj= 125°C

492

erec

역회복 에너지

tj=25°C

22

mj

tj= 125°C

45

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 r100

tc= 100°C,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력 소모

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25exp[B25/501/T2- 그래 1/(298.15K))]

3375

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

viso

절연 전압    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rcc+EE '

모듈 납 저항, 칩에 터미널 @ Tc=25°C

1.1

m오

rθJC

부수 (IG당)BT)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.047

0.078

K/W

rθcs

케이스-투-심크 (전도성 지방))

0.005

K/W

tjmax

최대 분기 온도

175

°C

tSTG

저장 온도 범위

-40

125

°C

장착

토크

전원 터미널 나사:M5

3.0

6.0

n.m

장착 스ikulu:M6

3.0

6.0

n.m

무게

무게 의 모듈

910

g