특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
T1,T2 IGBT
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
vCES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
v |
|
vGES |
게이트-이미터 전압 |
±30 |
v |
|
ic |
집합 전류 @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
655 400 |
a |
|
icm |
펄스 콜렉터 전류 tp= 1밀리초 |
800 |
a |
|
pd |
최대 전력 분산 @ Tj=175oc |
2205 |
w |
D1,D2 다이오드
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
vRRM |
반복 피크 역전압 |
1200 |
v |
|
if |
다이오드 연속 전면 커임대료 |
300 |
a |
|
ifm |
다이오드 최대 전류 tp=1ms |
600 |
a |
T3,T4 IGBT
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
vCES |
컬렉터-이미터 전압 |
650 |
v |
|
vGES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
v |
|
ic |
집합 전류 @ Tc=25oc @ Tc=70oc |
515 400 |
a |
|
icm |
펄스 콜렉터 전류 tp= 1밀리초 |
800 |
a |
|
pd |
최대 전력 분산 @ Tj=175oc |
1304 |
w |
D3,D4 다이오드
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
vRRM |
반복 피크 역전압 |
650 |
v |
|
if |
다이오드 연속 전면 커임대료 |
400 |
a |
|
ifm |
다이오드 최대 전류 tp=1ms |
800 |
a |
모듈
|
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
|
tjmax |
최대 분기 온도 |
175 |
oc |
|
tjop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
oc |
|
tSTG |
저장 온도범위 |
-40에서 +125 |
oc |
|
viso |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 |
2500 |
v |
T1,T2igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
ic=400A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.70 |
2.15 |
v |
|
ic=400A,VGE=15V, tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
|
ic=400A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.00 |
|
|||
|
vGE(제1회) |
게이트 발산자 문 전압 |
ic= 16.0mA,Vc=VGE, tj=25oc |
5.0 |
5.7 |
6.5 |
v |
|
iCES |
수집가 절단- 그래끄다 전류 |
vc=vCES,vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
엄마 |
|
iGES |
게이트 발사자 누출 전류 |
vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
아 |
|
rGint |
내부 게이트 저항ance |
|
|
0.6 |
|
오 |
|
c소 |
입력 용량 |
vc=30V,f=1MHz, vGE=0V |
|
40.5 |
|
NF |
|
cres |
역전환 용량 |
|
1.14 |
|
NF |
|
|
qg |
게이트 요금 |
vGE=15V |
|
2.22 |
|
μC |
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
|
408 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
119 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
573 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
135 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
10.5 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
36.2 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
|
409 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
120 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
632 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
188 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
13.2 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
53.6 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
|
410 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
123 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
638 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
198 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
14.4 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
56.1 |
|
mj |
|
|
isc |
SC 데이터 |
tp≤ 10μs,VGE=15V, tj=150oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V |
|
1600 |
|
a |
D1,D2다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vf |
다이오드 앞 전압 |
if= 300A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.65 |
2.10 |
v |
|
if= 300A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.65 |
|
|||
|
if= 300A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.65 |
|
|||
|
qr |
회복 부과 |
vr=600V,If=300A, -di/dt=5200A/μs,VGE=- 15vtj=25oc |
|
34.0 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
280 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
19.5 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 부과 |
vr=600V,If=300A, -di/dt=5200A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc |
|
55.6 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
350 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
29.8 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 부과 |
vr=600V,If=300A, -di/dt=5200A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc |
|
63.6 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
368 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
34.0 |
|
mj |
T3,T4igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
ic=400A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.45 |
1.90 |
v |
|
ic=400A,VGE=15V, tj=125oc |
|
1.60 |
|
|||
|
ic=400A,VGE=15V, tj=150oc |
|
1.70 |
|
|||
|
vGE(제1회) |
게이트 발산자 문 전압 |
ic=6.4엄마,vc=vGE, tj=25oc |
5.1 |
5.8 |
6.4 |
v |
|
iCES |
수집가 절단- 그래끄다 전류 |
vc=vCES,vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
엄마 |
|
iGES |
게이트 발사자 누출 전류 |
vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
아 |
|
rGint |
내부 게이트 저항ance |
|
|
1.0 |
|
오 |
|
c소 |
입력 용량 |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
12.7 |
|
NF |
|
cres |
역전환 용량 |
|
0.73 |
|
NF |
|
|
qg |
게이트 요금 |
vGE=- 15...+15V |
|
4.30 |
|
μC |
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=300V,Ic=400A,- 그래rg= 1.8Ω, vGE=±15V,tj=25oc |
|
102 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
79 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
458 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
49 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
2.88 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
12.9 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=300V,Ic=400A,- 그래rg= 1.8Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
|
111 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
80 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
505 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
70 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
4.20 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
16.0 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=300V,Ic=400A,- 그래rg= 1.8Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
|
120 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
80 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
510 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
80 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
4.50 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
17.0 |
|
mj |
|
|
isc |
SC 데이터 |
tp≤6μs,vGE=15V, tj=150oC,Vcc=360V, vCEM≤600V |
|
2000 |
|
a |
D5,D6다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vf |
다이오드 앞 전압 |
if=400A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.55 |
2.00 |
v |
|
if=400A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.50 |
|
|||
|
if=400A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.45 |
|
|||
|
qr |
회복 부과 |
vr=300V,If=400A, -di/dt=5500A/μs,VGE=- 15vtj=25oc |
|
18.2 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
215 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
3.58 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 부과 |
vr=300V,If=400A, -di/dt=5500A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc |
|
29.8 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
280 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
7.26 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 부과 |
vr=300V,If=400A, -di/dt=5500A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc |
|
34.2 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
300 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
8.30 |
|
mj |
모듈 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
rthJC |
커스 (T1당)T2 IGBT) 커스 (D1,D2 Dio 당)de) 커스 (T3당) 에 대한 접합T4 IGBT) 커스 (D3,D4 Dio에 따라)de) |
|
|
0.068 0.138 0.115 0.195 |
K/W |
|
rthCH |
케이스-히트싱크 (perT1,T2 IGBT) 케이스-열기 싱크장 (D1,D2당)다이오드) 케이스-히트싱크 (perT3,T4 IGBT) 케이스-열기 싱크장 (D3,D4당)다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
|
0.136 0.276 0.230 0.391 0.028 |
|
K/W |
|
m |
장착 토크, 스크루브 m6 단자 연결 토크, 스크루브 M5 |
3.0 2.5 |
|
6.0 5.0 |
n.m |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
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