1700V

상징

설명

GD400HFT170C2SN

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집자 현재 @tc=25°C

@ Tc=80°C

700

400

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

800

a

if

다이오드 연속 전면 커임대료

@ Tc=80°C

400

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

800

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175°C

2632

w

tjmax

최대 분기 온도

175

°C

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

°C

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

장착 토크

전원 터미널 나사:M6

장착 나사:M6

2.5에서 5.0

3.0에서 5.0

n.m

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1700

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 16.0mA,Vc=VGE,tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=400A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

ic=400A,VGE=15V, tj=125°C

2.40

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=400A,- 그래rg=3.6Ω,VGE=±15V, tj=25°C

281

NS

tr

상승 시간

79

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

795

NS

tf

하강 시간

120

NS

e에

켜 전환

손실

104

mj

e끄다

그림 전환

손실

86

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=400A,- 그래rg=3.6Ω,VGE=±15V, tj=125°C

299

NS

tr

상승 시간

102

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

998

NS

tf

하강 시간

202

NS

e에

켜 전환

손실

136

mj

e끄다

그림 전환

손실

124

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

35.3

NF

c소

출력 용량

1.46

NF

cres

역전환

용량

1.17

NF

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15 v,

tj=125°Cvcc= 1000 v, 브CEM≤1700V

1600

a

rGint

내부 게이트 저항ance

1.9

오

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

qr

회복

부과

if=400A,

vr=900V,

rg=3.6Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

100

μC

tj=125°C

170

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

440

a

tj=125°C

480

erec

역회복에너지

tj=25°C

54.0

mj

tj=125°C

95.0

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부문별 (IGB당)T)

0.057

K/W

rθJC

부대와 부대 (D당)요오드)

0.110

K/W

rθcs

케이스-투-심크 (전도성 지방))

0.035

K/W

무게

무게     모듈

300

g