1200v

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±30

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

630

400

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

800

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175oc

2083

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

400

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

800

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=400A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=400A,VGE=15V, tj=125oc

1.95

ic=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 16.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.5

오

c소

입력 용량

vc=30V,f=1MHz,

vGE=0V

39.6

NF

cres

역전환

용량

1.20

NF

qg

게이트 요금

vGE=15V

2.40

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

408

NS

tr

상승 시간

119

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

573

NS

tf

하강 시간

135

NS

e에

켜 전환

손실

10.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

36.2

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

409

NS

tr

상승 시간

120

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

632

NS

tf

하강 시간

188

NS

e에

켜 전환

손실

13.2

mj

e끄다

그림 전환

손실

53.6

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

410

NS

tr

상승 시간

123

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

638

NS

tf

하강 시간

198

NS

e에

켜 전환

손실

14.4

mj

e끄다

그림 전환

손실

56.1

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=150oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

1600

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

if=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

if=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.85

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15vtj=25oc

40.5

μC

irm

피크 역전

회복 전류

259

a

erec

역회복에너지

19.7

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc

67.9

μC

irm

피크 역전

회복 전류

323

a

erec

역회복에너지

32.6

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc

77.7

μC

irm

피크 역전

회복 전류

342

a

erec

역회복에너지

38.3

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

rθJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.072

0.095

K/W

rθcs

케이스-싱크 (IGBT당)

케이스-싱크 (다이오드당)

0.088

0.116

K/W

rθcs

케이스-싱크

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게     모듈

300

g