1200v

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

615

400

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

800

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=150oc

2358

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

400

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

800

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

150

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +125

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

2500

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=400A,VGE=15V, tj=25oc

2.15

2.60

v

ic=400A,VGE=15V, tj=125oc

2.65

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=4.0엄마,vc=vGE, tj=25oc

5.2

5.7

6.2

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.5

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

26.2

NF

cres

역전환

용량

1.68

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

4.18

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.2Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

392

NS

tr

상승 시간

129

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

567

NS

tf

하강 시간

143

NS

e에

켜 전환

손실

8.40

mj

e끄다

그림 전환

손실

37.3

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.2Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

395

NS

tr

상승 시간

135

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

604

NS

tf

하강 시간

154

NS

e에

켜 전환

손실

12.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

42.7

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=125oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

2400

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

if=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

qr

회복 전하

vcc=600V,If=400A,

-di/dt=2840A/μs,VGE=±15V, tj=25oc

35.2

μC

irm

피크 역전

회복 전류

246

a

erec

역회복에너지

17.1

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=400A,

-di/dt=2840A/μs,VGE=±15V, tj= 125oc

56.0

μC

irm

피크 역전

회복 전류

312

a

erec

역회복에너지

26.3

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

rthJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.053

0.103

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (per 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.048

0.094

0.032

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 의 모듈

350

g