특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
igt
|
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
|
vCES |
컬렉터-이미터 전압 |
1700 |
v |
|
vGES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
v |
|
ic |
집합 전류 @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
493 300 |
a |
|
icm |
펄스 콜렉터 전류 tp=1ms |
600 |
a |
|
pd |
최대 전력 분산 t =175oc |
1829 |
w |
다이오드
|
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
|
vRRM |
반복 피크 역전압 |
1700 |
v |
|
if |
다이오드 연속 전면 커임대료 |
300 |
a |
|
ifm |
다이오드 최대 전류 tp=1ms |
600 |
a |
모듈
|
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
|
tjmax |
최대 분기 온도 |
175 |
oc |
|
tjop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
oc |
|
tSTG |
저장 온도범위 |
-40에서 +125 |
oc |
|
viso |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 |
4000 |
v |
igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
ic= 300A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.85 |
2.20 |
v |
|
ic= 300A,VGE=15V, tj=125oc |
|
2.25 |
|
|||
|
ic= 300A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.35 |
|
|||
|
vGE(제1회) |
게이트 발산자 문 전압 |
ic= 12.0mA,Vc=VGE, tj=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
iCES |
수집가 절단- 그래끄다 전류 |
vc=vCES,vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
엄마 |
|
iGES |
게이트 발사자 누출 전류 |
vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
아 |
|
rGint |
내부 게이트 저항ance |
|
|
2.5 |
|
오 |
|
c소 |
입력 용량 |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
36.1 |
|
NF |
|
cres |
역전환 용량 |
|
0.88 |
|
NF |
|
|
qg |
게이트 요금 |
vGE=- 15...+15V |
|
2.83 |
|
μC |
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
|
204 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
48 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
595 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
100 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
69.3 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
63.3 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω VGE=±15V, tj= 125oc |
|
224 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
55 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
611 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
159 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
96.8 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
99.0 |
|
mj |
|
|
td(에) |
턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω VGE=±15V, tj= 150oc |
|
240 |
|
NS |
|
tr |
상승 시간 |
|
55 |
|
NS |
|
|
td(끄다) |
그림 지연 시간 |
|
624 |
|
NS |
|
|
tf |
하강 시간 |
|
180 |
|
NS |
|
|
e에 |
켜 전환 손실 |
|
107 |
|
mj |
|
|
e끄다 |
그림 전환 손실 |
|
105 |
|
mj |
|
|
isc |
SC 데이터 |
tp≤ 10μs,VGE=15V, tj=150oC,Vcc= 1000V, 브CEM≤1700V |
|
1200 |
|
a |
다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
시험 조건 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
vf |
다이오드 앞 전압 |
if= 300A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
|
if= 300A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.90 |
|
|||
|
if= 300A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.95 |
|
|||
|
qr |
회복 전하 |
vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15vtj=25oc |
|
55 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
297 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
32.2 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 전하 |
vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15vtj=125oc |
|
116 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
357 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
68.2 |
|
mj |
|
|
qr |
회복 전하 |
vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15vtj=150oc |
|
396 |
|
μC |
|
irm |
피크 역전 회복 전류 |
|
120 |
|
a |
|
|
erec |
역회복에너지 |
|
81.6 |
|
mj |
모듈 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
|
상징 |
매개 변수 |
미니 |
전형적인. |
최대 |
단위 |
|
난c |
방랑 인덕턴스 |
|
|
20 |
NH |
|
rCC+EE |
모듈 리드 레시스타칩에 터미널 |
|
0.35 |
|
mΩ |
|
rthJC |
부문별 (IGB당)T) 커스 (D) 에 대한 연결오드) |
|
|
0.082 0.129 |
K/W |
|
rthCH |
케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (per 다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
|
0.033 0.051 0.010 |
|
K/W |
|
m |
단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m |
|
g |
무게 의 모듈 |
|
300 |
|
g |
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