1700V

상징

설명

GD300HFT170C2S

단위

VCES

수집자-출출자 전압

1700

v

VGFs

게이트 발사기 전압

±20

v

ic

수집가 전류 @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

a

300

ICM (이하 ICM)

펄스 수집가 전류 tp=1ms

600

a

IR

다이오드 연속 앞으로 전류

300

a

IM

다이오드 최대 앞으로 전류

600

a

pp

최대 전력 분산 @Tj=175℃

2083

w

TSC

짧다 회로 견디세요 시간 @Tj=125℃

10

μs

Tjmax

최대 교차점 온도

175

°C

TSTG

저장 온도 범위

-40 to+125

°C

I²t-값,다이오드

VR=0V,t=10ms,Tj=125°C

14500

A²s

비소

고립 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

장착 토크

전력 터미널 스크루:M6

2.5 에 5.0

n.m

장착- 그래스ikulu:M6

3.0 에 5.0

n.m

상징

매개 변수

시험 조건

분- 그래요

유형- 그래요

최대- 그래요

단위

BVcrs

수집자-출출자

분산 전압

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

v

ICES

수집가 컷오프 전류

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25°C

3.0

엄마

IGrs

게이트 발사기 누출 전류

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

분- 그래요

전형적인.

최대- 그래요

단위

Vcπ(h)

게이트 발사기 임계값 전압

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE(sat)

수집가 에 발산기 포화 전압

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

v

ic=300A,VGr=15V. T=125℃

2.4

상징

매개 변수

시험 조건

분- 그래요

전형적인.

최대- 그래요

단위

taon)

켜 지연 시간

Vcc=900V,Ic=300A,Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

NS

t

상승 시간

82

NS

아(o)

그림 지연 시간

801

NS

tr

하강 시간

Vcc=900V,Ic=300A, 

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

NS

EON

켜 전환

손실

70

mj

Eofr

그림 전환

손실

65

mj

ta(on)

켜 지연 시간

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15VT=125℃

303

NS

t

상승 시간

103

NS

ta(om)

그림 지연 시간

1002

NS

tr

하강 시간

203

NS

EON

켜 전환

손실

105

mj

EOR

그림 전환

손실

94

mj

시스

입력 용량

VCE=25V,f=1Mhz,

VGr=0V

27.0

NF

코스

출력 용량

1.1

NF

크레스

역행 이전

용량

0.9

NF

이스

sc 데이터

tSC≤10μs,VGE=15V, 

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

a

RGint

내부 포트 저항c

2.5

오

LCr

스트레이 인덕턴스

20

NH

RcC'+EE'

모듈 납 저항력 터미널 에 칩

TC=25°C

0.35

m2

상징

매개 변수

시험 조건

분- 그래요

전형적인.

최대- 그래요

단위

vr

다이오드 앞으로

전압

Iq=300A

Tj=25°C

1.8

v

Ti=125℃

1.9

q

다이오드 역행

회수 부과

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

μC

Tj=125°C

131

IRM

다이오드 최고

역행 회수 전류

Tj=25°C

351

a

T=125℃

383

Eree

역행 회수 에너지

Tj=25°C

40

mj

Tj=125°C

72

상징

매개 변수

전형적인.

최대- 그래요

단위

Rac

교차점- 그래에- 그래케이스 (igt 부분, 1 1/2 모듈l)

0.072

K/W

Rac

교차점- 그래에- 그래케이스 (다이오드 부분, per 1/2 모듈)

0.13

K/W

Roc

케이스-싱크 (전도성 지방 적용)

0.035

K/W

무게

무게 의 모듈

300

g