1200v

상징

설명

GD1200SGL120C3S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

컬렉터 전류

@ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

1900

a

1200

icm(1)

펄스 컬렉터 전류    tp= 1밀리초

2400

a

if

다이오드 연속 전류

1200

a

ifm

다이오드 최대의 앞회수임대료

2400

a

pd

최대 전력 소산    @ Tj= 175°C

8823

w

tsc

단회로 견딜 시간 @ Tj=125°C

10

μs

tj

작동점 온도

-40에서 +150

°C

tSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

°C

i2t값, 다이오드

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

300

ka2s

viso

격리 전압 RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

장착

토크

전원 터미널 나사:M4

전원 터미널 나사:M8

1.7에서 2.3

8.0에서 10

n.m

장착 스ikulu:M6

4.25에서 5.75

n.m

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

bv CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다 전류

vc=vCES,vGE=0V, tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출

전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

800

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문

전압

ic=48.0엄마,vc=vGE,tj=25°C

5.0

6.5

7.0

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic= 1200A,VGE=15V, tj=25°C

1.9

v

ic= 1200A,VGE=15V, tj= 125°C

2.1

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

rGint

내부 게이트 저항

tj=25°C

1.2

오

qGE

게이트 요금

ic= 1200A,Vc=600V, vGE=- 15...+15V

12.5

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VGE = ±15V, tj=25°C

790

NS

tr

상승 시간

170

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

1350

NS

tf

하강 시간

180

NS

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VGE =±15 v, 

tj= 125°C

850

NS

tr

상승 시간

170

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

1500

NS

tf

하강 시간

220

NS

e에

켜 전환 손실

155

mj

e끄다

턴오프 스위칭 손실

190

mj

c소

입력 용량

vc=25V, f=1MHz,

vGE=0V

92.0

NF

c소

출력 용량

8.40

NF

cres

역전환

용량

6.10

NF

isc

SC 데이터

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°C,

vcc=900V, vCEM≤1200v

7000

a

난c

방랑 인덕턴스

15

NH

rcc+EE '

모듈 리드 저항e, 터미널에서 칩으로

tc=25°C,스위치당

0.10

m오

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if= 1200a

tj=25°C

1.9

v

tj= 125°C

2.1

qr

다이오드 역전

회복 전하

if= 1200A

vr=600V,

di/dt=-6800A/μs, vGE=- 15v

tj=25°C

110

μC

tj= 125°C

220

irm

다이오드 피크

역회복 전류

tj=25°C

760

a

tj= 125°C

990

erec

역회복 에너지

tj=25°C

47

mj

tj= 125°C

82

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

융합체 (IGBT 부분, pe)r 모듈)

0.017

K/W

rθJC

접합부-케이스 (다이오드 부분, 모듈당l)

0.025

K/W

rθcs

케이스-싱크

(전도성 그리스 적용, per모듈)

0.006

K/W

무게

무게 의 모듈

1500

g