басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 4500В
ерекшеліктері
Типтік қолдану
Ауысу
Максималды номиналды мәндер
|
Параметр/参数 |
Символ/符号 |
Шарттар/条件 |
минут |
ең көп |
бірлік |
|
Жинағыш-эмиттер кернеуіАуысу集电极-发射极电压 |
vCES |
vГЭАуысу=0В,ТvjАуысу≥25°C |
Ауысу |
4500 |
v |
|
DC коллекторАуысуағымдыАуысу集电极电流 (Қосымша) |
ic |
tcАуысу=80°C |
Ауысу |
650 |
a) |
|
Шың коллекторАуысуағымдыАуысу集电极峰值电流 |
iсм |
tp=1ms,Tc=80°C |
Ауысу |
1300 |
a) |
|
Қақпа-эмиттер кернеуіАуысу栅极发射极电压 |
vГЭС |
Ауысу |
-20 |
20 |
v |
|
жалпыАуысуқуаттың шашырауыАуысуЖалпы қуат жоғалту |
ptot |
tcАуысу=25°C,perswitch(IGBT) |
Ауысу |
6670 |
w |
|
DC алға ағымАуысу直流正向电流 |
if |
Ауысу |
Ауысу |
650 |
a) |
|
Шың алға ағымАуысу峰值正向电流 |
iҚРМ |
tp=1ms |
Ауысу |
1300 |
a) |
|
СуржАуысуағымдыАуысу浪涌电流 |
iFSM |
vrАуысу=0В,ТvjАуысу=125°C,tp=10ms,Ауысужарты-синус толқыны |
Ауысу |
5300 |
a) |
|
IGBT қысқаАуысуконтурАуысуSOAАуысуIGBT 短路安全工作区 |
Ауысу tпск |
Ауысу vCCАуысу=3400V,VCEMCHIP≤4500VАуысуvГЭАуысу≤15V,Tvj≤125°C |
Ауысу |
Ауысу 10 |
Ауысу μs |
|
Изоляция кернеуіАуысу绝缘 электр қысымы |
vтұтастығы |
1 минут, f=50 Гц |
Ауысу |
10200 |
v |
|
Байланыс температурасыАуысу结温 |
tvj |
Ауысу |
Ауысу |
150 |
°C |
|
Байланыс жұмыс температурасыерекшелігіАуысужұмыс температурасы |
tvj(op) |
Ауысу |
-50 |
125 |
°C |
|
Корпус температурасыАуысу温 |
tc |
Ауысу |
-50 |
125 |
°C |
|
сақтау температурасыАуысусақтау температурасы |
tЖТГ |
Ауысу |
-50 |
125 |
°C |
|
Орнату моменттеріАуысуорнату күші |
мs |
Ауысу |
4 |
6 |
Ауысу нм |
|
мt1 |
Ауысу |
8 |
10 |
||
|
мt2 |
Ауысу |
2 |
3 |
Ауысу
IGBT сипаттамалық мәндері
|
Параметр/参数 |
Символ/符号 |
Шарттар/条件 |
минут |
түрі |
ең көп |
бірлік |
|
|
ЖинақтаушыАуысу(- эмиттер)АуысубұзылуАуысукернеу 集电极-发射极阻断电压 |
Ауысу v(BR)CES |
vГЭАуысу=0V,IC=10mA,АуысуTvj=25°C |
Ауысу 4500 |
Ауысу |
Ауысу |
Ауысу v |
|
|
Коллектор-эмиттер қанықтыруАуысукернеу 集电极-发射极饱和电压 |
Ауысу vCеsat |
icАуысу=650A,АуысуvГЭАуысу=15В |
Tvj=Ауысу25°C |
Ауысу |
2.7 |
3.2 |
v |
|
Tvj=125°C |
Ауысу |
3.4 |
3.8 |
v |
|||
|
Коллекторды өшіруАуысуағымдыАуысу集电极截止电流 集电极截止电流 集电极 截止电流 топтастырылған электр тогы |
iCES |
vлыАуысу=4500В,АуысуvГЭАуысу=0В |
Tvj=Ауысу25°C |
Ауысу |
Ауысу |
10 |
ана |
|
Tvj=125°C |
Ауысу |
Ауысу |
100 |
ана |
|||
|
GateАуысуағындылық ағыныАуысу极漏电流 |
iГЭС |
vлыАуысу=0V,VГЭАуысу=20V,АуысуtvjАуысу=125°С |
-500 |
Ауысу |
500 |
н |
|
|
Gate-эмиттер шекті кернеуіАуысу栅极发射极阀值电压 |
vЖЕ (th) |
icАуысу=160mA,VлыАуысу=VГЭ,АуысуtvjАуысу=25°С |
4.5 |
Ауысу |
6.5 |
v |
|
|
GateАуысуайыппұлАуысу极电荷 |
qg |
icАуысу=650A,VлыАуысу= 2800В,АуысуvГЭАуысу=-15ВАуысу…Ауысу15В |
Ауысу |
5.4 |
Ауысу |
μC |
|
|
Кіріс сыйымдылығыАуысу输入电容 |
cлар |
Ауысу Ауысу vлыАуысу=25V,VГЭАуысу=0В,Ауысуf=1MHz,TvjАуысу=25°С |
Ауысу |
71.4 |
Ауысу |
Ауысу Ауысу Ауысу НФ |
|
|
Шығарылымдық сыйымдылықАуысушығыс қуаттылығы |
cлық |
Ауысу |
4.82 |
Ауысу |
|||
|
Кері байланыс сыйымдылығыАуысу反向转移电容 |
cре |
Ауысу |
1.28 |
Ауысу |
|||
|
Қосылу кешігуіАуысууақытАуысу开通延迟时间 |
td(on) |
Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу vCCАуысу= 2800В, icАуысу=650A, rgАуысу=2.2ОАуысу, vГЭАуысу=±15В, Менσ=280nH, 感性负载 (сезімтал жүктеме) |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
420 |
Ауысу |
Ауысу Ауысу н |
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
528 |
Ауысу |
||||
|
Күтерілу уақытыАуысукөтерілу уақыты |
tr |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
160 |
Ауысу |
||
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
190 |
Ауысу |
||||
|
Сөндіру кешігу уақытыАуысу关断延迟时间 |
td(Ашылған) |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
2100 |
Ауысу |
Ауысу Ауысу н |
|
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
2970 |
Ауысу |
||||
|
Күз мезгіліАуысутөмендеу уақыты |
tf |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
1600 |
Ауысу |
||
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
2760 |
Ауысу |
||||
|
Қосылу ауысуАуысужоғалту энергиясыАуысу开通损耗能量 |
ебасталды |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
1000 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
TVjАуысу=125Ауысу°C |
Ауысу |
1600 |
Ауысу |
||||
|
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысужоғалту энергиясыАуысуСөндіру жоғалту энергиясы |
еАшылған |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
2000 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
TVjАуысу=125Ауысу°C |
Ауысу |
2740 |
Ауысу |
||||
|
Қысқа тұйықталуАуысуағымдыАуысу短路电流 |
isc |
tpsc ≤Ауысу10μs, VГЭАуысу=15В,Ауысуtvj =Ауысу125°C,VCCАуысу=Ауысу3400V |
Ауысу |
3940 |
Ауысу |
a) |
|
Ауысу
Диодтың сипаттамалық мәндері
|
Параметр/参数 |
Символ/符号 |
Шарттар/条件 |
минут |
түрі |
ең көп |
бірлік |
|
|
Алға кернеуАуысу正向电压 |
vf |
ifАуысу=650A |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
3.2 |
Ауысу |
v |
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
3.6 |
Ауысу |
||||
|
КеріАуысуҚайта қалпына келтіру тогыАуысуКері қалпына келтіру ток |
iрр |
Ауысу vCCАуысу= 2800В, icАуысу=650A, rgАуысу=2.2ОАуысу, vГЭАуысу=±15В, Менσ=280nH, 感性负载 (сезімтал жүктеме) |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
1200 |
Ауысу |
a) |
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
1300 |
Ауысу |
a) |
|||
|
Алынған айыппұлАуысу恢复电荷 |
qрр |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
450 |
Ауысу |
μC |
|
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
550 |
Ауысу |
μC |
|||
|
КеріАуысуқалпына келтіру уақытыАуысу反向恢复时间 |
tрр |
TVjАуысу=Ауысу25Ауысу°C |
Ауысу |
660 |
Ауысу |
н |
|
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
750 |
Ауысу |
||||
|
КеріАуысуқалпына келтіру энергиясыАуысу反向恢复能量 |
ерек |
TVjАуысу=25Ауысу°C |
Ауысу |
720 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
TVjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
860 |
Ауысу |
||||
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
