барлық санаттар

1700В

1700В

басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1700В

GD650HFX170P1S

IGBT модулі, 1700В 650А

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD650HFX170P1S
  • кіріспе
кіріспе

ерекшеліктері

  • Төмен Vлы(тұрып)АуысуТренчАуысуIGBTАуысутехнология
  • 10 мкмАуысуҚысқа тұйықталу қабілетілық
  • vлы(тұрып)АуысужәнеАуысуоңАуысутемпературасыАуысукоэффициенті
  • ең көпАуысуБайланыс температурасыАуысу175лыc
  • Регенеративті диодты ұлғайтуоперация
  • DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы
  • Жоғары қуатты және жылу циклін өткізуге қабілеттілық

Ауысу

ҮлгілікАуысуқосымшалар

  • Жоғары қуат конвертері
  • Жел және күн энергиясы
  • Тартылу қозғалтқышы

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуЕскерту

IGBT

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

1073

650

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1300

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

4.2

кв

Ауысу

Диод

Ауысу

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

650

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1300

a)

Модуль

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

v

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=650A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.90

2.35

Ауысу

Ауысу

v

ic=650A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.35

Ауысу

ic=650A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.45

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

2.3

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

72.3

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.75

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

5.66

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=650A,АуысуrҚон=Ауысу1.8Ω,RГофф=2,7Ω,vГЭ=±15В,Тj=25лыc

Ауысу

468

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

86

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

850

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

363

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

226

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

161

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=650A,АуысуrҚон=Ауысу1.8Ω,RГофф=2,7Ω,vГЭ=±15В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

480

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

110

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1031

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

600

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

338

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

226

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=650A,АуысуrҚон=Ауысу1.8Ω,RГофф=2,7Ω,vГЭ=±15В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

480

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1040

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

684

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

368

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

242

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

2600

Ауысу

Ауысу

a)

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=650A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.85

2.30

Ауысу

v

if=650A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.98

Ауысу

if=650A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

2.02

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=650A,

-di/dt=5980A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

176

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

765

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

87.4

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=650A,

-di/dt=5980A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

292

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

798

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

159

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=650A,

-di/dt=5980A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

341

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

805

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

192

Ауысу

МЖ

НТКАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

ΔR/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100АуысулыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

18

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.30

Ауысу

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

35.8

71.3

K/kW

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

13.5

26.9

4.5

Ауысу

K/kW

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ8 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

1.8

8.0

3.0

Ауысу

2.1

10.0

6.0

Ауысу

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

810

Ауысу

g

Ауысу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000