3300В

параметр

Символ

Шарттары

мішінде

мось

бірлік

Жинағыш-эмиттер кернеуі

ККЕЖ

VGE=0V,Tvj≥25°C

Ауысу

3300

v

dcАуысуКоллектор тогы

i

TC  =80 °C

Ауысу

1200

a)

Жинақтың ең жоғары тогы

ICM

tp =1ms,Tc=80°C

Ауысу

2400

a)

Қақпа эмиттер кернеуі

VGE

Ауысу

-20

20

v

Толық қуаттың шашырауы

Ptot

TC =25°C, әр қосқыш үшін(IGBT)

Ауысу

10500

w

DC алға ағым

егер

Ауысу

Ауысу

1200

a)

Шың алға ағым

МКБЖ

tp  = 1 ms

Ауысу

2400

a)

Қаттылық тогы

IFSM

VR = 0 V, Tvj  = 125 °C,

tp  = 10 ms, жарты-синусоидалық

Ауысу

9000

a)

IGBT Қысқа Цикл SOA

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP  ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

Ауысу

10

μs

Изоляция кернеуі

Визоль

1 мин, f = 50 Гц

Ауысу

10200

v

Байланыс температурасы

TVj

Ауысу

Ауысу

150

°C

Бүйірдегі жұмыс температурасы

Теледидар

Ауысу

-50

125

°C

Корпус температурасы

tc

Ауысу

-50

125

°C

сақтау температурасы

ТСТГ

Ауысу

-50

125

°C

Ауысу

Орнату моменттері

M с

Негізгі жылу өткізгіш, M6 бұрандалар

4

6

Ауысу

нм

Mt1

Негізгі терминалдар, M8 бұрандалар ,

8

10

Mt2

Көмекші терминалдар, M6 бұрандалар

2

3

параметр

Символ

Шарттары

минут

типті

ең көп

бірлік

Коллектор (- эмиттер) бұзылу кернеуі

V(BR) CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

Ауысу

3300

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

Коллектор эмиттер  отырғыш кернеуі

Ауысу

VCE отыру

Ауысу

C = 1200  A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

Ауысу

3.1

3.4

v

Tvj=125°C

Ауысу

3.8

4.3

v

Коллектордың ток ағыны үзілді

ICES

Ауысу

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

Ауысу

Ауысу

12

ана

Tvj=125°C

Ауысу

Ауысу

120

ана

Қақпаның ағып кету тогы

ИГЭС

Ауысу

VCE = 0 V, VGE  = ± 20 V, Tvj  =125 °C

-500

Ауысу

500

Ауысу

н

Gate-эмиттер шекті кернеуі

VGE (th)

IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C

5.5

Ауысу

7.5

v

Қақпалық төлем

Бас басқарма

IC =1200 A    VCE =1800V    VGE = -15V ..15  V

Ауысу

12.1

Ауысу

μC

Кіріс сыйымдылығы

Қалғандары

Ауысу

VCE = 25 V, V GE  = 0 V, f = 1 МГц, Tvj = 25 °C

Ауысу

187

Ауысу

НФ

Шығарылымдық сыйымдылық

Коэ

Ауысу

11.57

Ауысу

НФ

Кері байланыс сыйымдылығы

Крес

Ауысу

2.22

Ауысу

НФ

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Тд ((олтырау)

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

VCC  = 1800 V, IC   = 1200A,

RG  = 3.9Ω ,VGE  =±15V

L σ = 280nH, индуктивті жүктеме

Tvj=25°C

Ауысу

750

Ауысу

н

Tvj=125°C

Ауысу

750

Ауысу

н

Күтерілу уақыты

tr

Tvj=25°C

Ауысу

400

Ауысу

н

Tvj=125°C

Ауысу

470

Ауысу

н

Сөндіру кешігу уақыты

Тд (оң)

Tvj=25°C

Ауысу

1600

Ауысу

н

Tvj=125°C

Ауысу

1800

Ауысу

н

Күз мезгілі

Тф

Tvj=25°C

Ауысу

1100

Ауысу

н

Tvj=125°C

Ауысу

1200

Ауысу

н

Қосылу - өшіру шығыны

Ауысу

Эон

Tvj=25°C

Ауысу

1400

Ауысу

МЖ

Tvj=125°C

Ауысу

1800

Ауысу

МЖ

Қалпына келтіру кезінде энергияның жоғалуы

Ауысу

Еоф

Tvj=25°C

Ауысу

1300

Ауысу

МЖ

Tvj=125°C

Ауысу

1700

Ауысу

МЖ

Қысқа тоқ

Ауысу

еск

VCC  = 2500 V, VGE  = 15V, L σ = 280nH, индуктивті жүктеме

Ауысу

Ауысу

5000

Ауысу

Ауысу

a)

параметр

Символ

Шарттары

минут

типті

ең көп

бірлік

Алға кернеу

Ауысу

VF

IF  = 1200 A

Tvj = 25 °C

Ауысу

2.3

2.6

v

Tvj = 125 °C

Ауысу

2.35

2.6

v

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

Ауысу

Irr

Ауысу

Ауысу

Ауысу

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,индуктивті жүктеме

Tvj = 25 °C

Ауысу

900

Ауысу

a)

Tvj = 125 °C

Ауысу

1000

Ауысу

a)

Алынған айыппұл

Ауысу

Qrr

Tvj = 25 °C

Ауысу

700

Ауысу

μC

Tvj = 125 °C

Ауысу

1000

Ауысу

μC

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

Ауысу

trr

Tvj = 25 °C

Ауысу

850

Ауысу

н

Tvj = 125 °C

Ауысу

2200

Ауысу

н

Кері қалпына келтіру энергиясы

Ауысу

Ерек

Tvj = 25 °C

Ауысу

850

Ауысу

МЖ

Tvj = 125 °C

Ауысу

1300

Ауысу

МЖ