басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 3300В
Кілттік Параметрлер
|
ККЕЖ |
3300Ауысуv |
|
VCE (sat) |
(тип)Ауысу 2.40Ауысуv |
|
i |
(макс.)Ауысу500Ауысуa) |
|
IC ((RM) |
(макс.)Ауысу1000Ауысуa) |
Ауысу
типтік қолданбалар
ерекшеліктері
Ауысу
АбсолюттіАуысуең көпАуысуRating
|
(Сынып) |
(Параметр) |
(сынау шарттары) |
(құндылық) |
(бұлақ) |
|
ККЕЖ |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
V GE = 0V,Tvj = 25°C |
3300 |
v |
|
V GES |
Gate-emitter кернеуі |
Ауысу |
± 20 |
v |
|
I С |
Жинақтаушы-эмиттер тогы |
T case = 100 °C, Tvj = 150 °C |
500 |
a) |
|
I C ((PK) |
Жинақтың ең жоғары тогы |
1ms, T case = 140 °C |
1000 |
a) |
|
P макс |
Транзистордың қуаттылық шашырауы |
Tvj = 150°C, T case = 25 °C |
5.2 |
кв |
|
I 2t |
Диод I t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
80 |
kA2s |
|
Визоль |
Оқшаулау кернеуі модуль бойынша |
Біріккен терминалдар негіздік тақтаға), AC RMS,1 мин, 50Hz |
6000 |
v |
|
Q PD |
Бөлшек төгілу модуль бойынша |
IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C |
10 |
тк |
Ауысу
Электртехникалық сипаттамалары
|
tжағдайАуысу= 25 °cАуысуtАуысужағдайАуысу= 25°cАуысуегерАуысукөрсетілгенАуысубасқа жағдайда |
||||||
|
(Символ) |
(Параметр) |
(сынау шарттары) |
(минут) |
(типті) |
(ең көп) |
(бірлік) |
|
Ауысу Ауысу iАуысуCES |
Коллектордың тоқтату ағымы |
vАуысуГЭАуысу= 0V,АуысуvлыАуысу=АуысуvCES |
Ауысу |
Ауысу |
1 |
ана |
|
vАуысуГЭАуысу= 0V,АуысуvлыАуысу=АуысуvCESАуысу,АуысуtАуысужағдайАуысу=125 °C |
Ауысу |
Ауысу |
30 |
ана |
||
|
vАуысуГЭАуысу= 0V,АуысуvлыАуысу=vCESАуысу,АуысуtАуысужағдайАуысу=150 °C |
Ауысу |
Ауысу |
50 |
ана |
||
|
iАуысуГЭС |
Gate leakageАуысуағымды |
vАуысуГЭАуысу= ±20V,АуысуvлыАуысу= 0V |
Ауысу |
Ауысу |
1 |
μA |
|
vАуысуГЭАуысу(TH) |
Қақпаның шекті кернеуі |
iАуысуcАуысу= 40ана,АуысуvАуысуГЭАуысу=vлы |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
Ауысу Ауысу vлыАуысу(тұрып)(*1) |
Коллектор-эмиттер қанықтыруАуысукернеу |
vАуысуГЭАуысу=15В,iАуысуC =Ауысу500а |
Ауысу |
2.40 |
2.90 |
v |
|
vАуысуГЭАуысу=15В,iАуысуcАуысу= 500A,tvjАуысу=Ауысу125Ауысу°C |
Ауысу |
2.95 |
3.40 |
v |
||
|
vАуысуГЭАуысу=15В,iАуысуcАуысу= 500A,tvjАуысу=Ауысу150Ауысу°C |
Ауысу |
3.10 |
3.60 |
v |
||
|
iАуысуf |
Диоданың алға ағымы |
dc |
Ауысу |
500 |
Ауысу |
a) |
|
iАуысуҚРМ |
Диод максималды алғаАуысуағымды |
tАуысуpАуысу=Ауысу1 мс |
Ауысу |
1000 |
Ауысу |
a) |
|
Ауысу Ауысу vf(*1) |
Ауысу Диоданың алға кернеуі |
iАуысуfАуысу=Ауысу500а |
Ауысу |
2.10 |
2.60 |
v |
|
iАуысуfАуысу= 500A,АуысуtvjАуысу=Ауысу125 °С |
Ауысу |
2.25 |
2.70 |
v |
||
|
iАуысуfАуысу= 500A,АуысуtvjАуысу=Ауысу150 °С |
Ауысу |
2.25 |
2.70 |
v |
||
|
cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
vлыАуысу= 25V,АуысуvАуысуГЭАуысу= 0V,fАуысу=Ауысу1мхз |
Ауысу |
90 |
Ауысу |
НФ |
|
qg |
Қақпалық төлем |
±15V |
Ауысу |
9 |
Ауысу |
μC |
|
cре |
Кері трансфер капацитанс |
vлыАуысу= 25V,АуысуvАуысуГЭАуысу= 0V,fАуысу=Ауысу1мхз |
Ауысу |
2 |
Ауысу |
НФ |
|
МенАуысум |
МодульАуысуиндуктивтілік |
Ауысу |
Ауысу |
25 |
Ауысу |
nH |
|
rАуысуint |
Ішкі транзистор кедергісі |
Ауысу |
Ауысу |
310 |
Ауысу |
μΩ |
|
Ауысу Ауысу iАуысуsc |
Қысқа тұйықталуАуысуток,Ауысуisc |
tvjАуысу=Ауысу150°C,АуысуvАуысуCCАуысу= 2500V,АуысуvАуысуГЭАуысу≤15В,tpАуысу≤10μs, vлы(ең көп)Ауысу=АуысуvCESАуысу–МенАуысу(*2)Ауысу×ды/dt, IECАуысу6074-9 |
Ауысу |
Ауысу Ауысу 1800 |
Ауысу |
Ауысу Ауысу a) |
Ауысу
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу Ауысу I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω |
Ауысу |
1720 |
Ауысу |
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
Ауысу |
520 |
Ауысу |
н |
|
|
E OFF |
Өшіру энергиясының жоғалуы |
Ауысу |
780 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу |
650 |
Ауысу |
н |
|
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
260 |
Ауысу |
н |
|
|
Эон |
Қосу энергиясының жоғалуы |
Ауысу |
730 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Qrr |
Диодтың кері қалпына келу заряды |
Ауысу I F =500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us |
Ауысу |
390 |
Ауысу |
μC |
|
I rr |
Диодтың кері қалпына келу тогы |
Ауысу |
420 |
Ауысу |
a) |
|
|
Ерек |
Диодтың кері қалпына келу энергиясы |
Ауысу |
480 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
|
(Сынып) |
(Параметр) |
(сынау шарттары) |
(Мин) |
(тип) |
(Макс) |
(бұлақ) |
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу Ауысу I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω |
Ауысу |
1860 |
Ауысу |
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
Ауысу |
550 |
Ауысу |
н |
|
|
E OFF |
Өшіру энергиясының жоғалуы |
Ауысу |
900 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу |
630 |
Ауысу |
н |
|
|
tr |
көтерілу уақытыКүтерілу уақыты |
Ауысу |
280 |
Ауысу |
н |
|
|
Эон |
Қосу энергиясының жоғалуы |
Ауысу |
880 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Qrr |
Диодтың кері қалпына келу заряды |
Ауысу I F =500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us |
Ауысу |
620 |
Ауысу |
μC |
|
I rr |
Диодтың кері қалпына келу тогы |
Ауысу |
460 |
Ауысу |
a) |
|
|
Ерек |
Диодтың кері қалпына келу энергиясы |
Ауысу |
760 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
|
(Сынып) |
(Параметр) |
(сынау шарттары) |
(Мин) |
(Тип) |
(Макс) |
(бұлақ) |
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу Ауысу I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω |
Ауысу |
1920 |
Ауысу |
н |
|
t f |
Күту уақыты |
Ауысу |
560 |
Ауысу |
н |
|
|
E OFF |
Өшіру энергиясының жоғалуы |
Ауысу |
1020 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу |
620 |
Ауысу |
н |
|
|
tr |
Көтерілу уақыты |
Ауысу |
280 |
Ауысу |
н |
|
|
Эон |
Қосу энергиясының жоғалуы |
Ауысу |
930 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Qrr |
Диодтың кері қалпына келу заряды |
Ауысу I F =500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us |
Ауысу |
720 |
Ауысу |
μC |
|
I rr |
Диодтың кері қалпына келу тогы |
Ауысу |
490 |
Ауысу |
a) |
|
|
Ерек |
Диодтың кері қалпына келу энергиясы |
Ауысу |
900 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
