басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
IGBT
Ауысу
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
v |
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
ic |
Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=Ауысу100лыc |
1410 900 |
a) |
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
1800 |
a) |
pd |
Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc |
5000 |
w |
Диод
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
vРРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
v |
if |
Диодты үздіксіз алға бұружалға алу |
900 |
a) |
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
1800 |
a) |
Ауысу
Модуль
Ауысу
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
tжіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
лыc |
tЖТГ |
сақтау температурасыАуқымы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
4000 |
v |
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) |
Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
1.80 |
2.25 |
Ауысу Ауысу v |
ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc |
Ауысу |
2.10 |
Ауысу |
|||
ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
2.15 |
Ауысу |
|||
vГЭ(лық) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу |
ic=22.5ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
iCES |
ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды |
vлы=vCES,vГЭ=0В, tj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
ана |
iГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды |
vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
rГинт |
Ішкі қақпаның кедергісілық |
Ауысу |
Ауысу |
0.6 |
Ауысу |
О |
qg |
Қақпалық төлем |
vГЭ=-Ауысу15В...+15В |
Ауысу |
7.40 |
Ауысу |
μC |
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу rҚон=Ауысу1.5Ω,RГофф=0,9Ω,vГЭ=±15В,Тj=25лыc |
Ауысу |
257 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
96 |
Ауысу |
н |
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
628 |
Ауысу |
н |
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
103 |
Ауысу |
н |
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
43 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
82 |
Ауысу |
МЖ |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу rҚон=Ауысу1.5Ω,RГофф=0,9Ω, vГЭ=±15В,Тj=Ауысу125лыc |
Ауысу |
268 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
107 |
Ауысу |
н |
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
659 |
Ауысу |
н |
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
144 |
Ауысу |
н |
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
59 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
118 |
Ауысу |
МЖ |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу rҚон=Ауысу1.5Ω,RГофф=0,9Ω, vГЭ=±15В,Тj=Ауысу150лыc |
Ауысу |
278 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
118 |
Ауысу |
н |
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
680 |
Ауысу |
н |
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
155 |
Ауысу |
н |
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
64 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
134 |
Ауысу |
МЖ |
|
Ауысу isc |
Ауысу SC деректері |
tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В, tj=150лыC,VCC=800V,Ауысу vКЕМ≤ 1200В |
Ауысу |
Ауысу 3600 |
Ауысу |
Ауысу a) |
ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Ауысу vf |
Алға қарай диод кернеу |
if=900A,VГЭ=0В,Тj=25лыc |
Ауысу |
1.71 |
2.16 |
Ауысу v |
if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc |
Ауысу |
1.74 |
Ауысу |
|||
if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc |
Ауысу |
1.75 |
Ауысу |
|||
qr |
Алынған айыппұл |
vr= 600В,If=900A, -di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc |
Ауысу |
76 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
513 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
38.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
qr |
Алынған айыппұл |
vr= 600В,If=900A, -di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc |
Ауысу |
143 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
684 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
71.3 |
Ауысу |
МЖ |
|
qr |
Алынған айыппұл |
vr= 600В,If=900A, -di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc |
Ауысу |
171 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
713 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
80.8 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
Ауысу |
20 |
nH |
rCC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке |
Ауысу |
0.18 |
Ауысу |
mΩ |
rТЖК |
Қатысу (IGB бойынша)Т) Құрамына байланысты (D-ға)йод) |
Ауысу |
Ауысу |
0.030 0.052 |
К/W |
Ауысу rТХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль) |
Ауысу |
0.016 0.027 0.010 |
Ауысу |
К/W |
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы |
2.5 3.0 |
Ауысу |
5.0 5.0 |
n.m |
g |
салмағыАуысулықАуысуМодуль |
Ауысу |
300 |
Ауысу |
g |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.