барлық санаттар

1200В

1200В

басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В

GD900SGY120C2S

IGBT Модулі,1200V 900A

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD900SGY120C2S
  • кіріспе
кіріспе

ерекшеліктері

  • Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
  • 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

ҮлгілікАуысуқосымшалар

  • Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
  • АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
  • Бөлінбейтін қуат көзі

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

IGBT

Ауысу

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

1410

900

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

5000

w

Диод

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

900

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1800

a)

Ауысу

Модуль

Ауысу

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

Ауысу

v

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.10

Ауысу

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.15

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=22.5ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.6

Ауысу

О

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15В...+15В

Ауысу

7.40

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу

rҚон=Ауысу1.5Ω,RГофф=0,9Ω,vГЭ=±15В,Тj=25лыc

Ауысу

257

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

96

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

628

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

103

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

43

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

82

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу

rҚон=Ауысу1.5Ω,RГофф=0,9Ω,

vГЭ=±15В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

268

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

107

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

659

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

144

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

59

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

118

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысу

rҚон=Ауысу1.5Ω,RГофф=0,9Ω,

vГЭ=±15В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

278

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

118

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

680

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

64

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

134

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,Ауысу

vКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

3600

Ауысу

Ауысу

a)

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=900A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.71

2.16

Ауысу

v

if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.74

Ауысу

if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.75

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

76

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

513

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

38.0

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

143

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

684

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

71.3

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

171

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

713

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

80.8

Ауысу

МЖ

Ауысу

МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.18

Ауысу

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.030

0.052

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.016

0.027

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000