1200В

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

1522

900

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

5.24

кв

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

900

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic=900A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=22.5ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.63

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

93.2

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

2.61

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15Ауысу_ _ _ _ _ _ _ _+15В

Ауысу

6.99

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысуrg=1.6Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

214

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

150

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

721

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

206

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

76

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

128

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысуrg=1.6Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

235

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

161

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

824

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

412

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

107

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

165

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=900A,Ауысуrg=1.6Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

235

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

161

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

876

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

464

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

112

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

180

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

3600

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=900A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.90

2.25

Ауысу

v

if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.85

Ауысу

if=900A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.80

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc

Ауысу

86

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

475

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

36.1

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

143

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

618

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

71.3

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

185

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

665

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

75.1

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

ΔR/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100АуысулыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

18

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

0.30

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

28.6

51.9

K/kW

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

14.0

25.3

4.5

Ауысу

K/kW

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ8 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

1.8

8.0

3.0

Ауысу

2.1

10

6.0

Ауысу

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

825

Ауысу

g