1200В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

1250

800

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

1600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

4166

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

800

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1600

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 800А,ВГЭ=Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic= 800А,ВГЭ=Ауысу15В,tj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic= 800А,ВГЭ=Ауысу15В,tj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=32,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.0

5.7

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.13

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=30В,f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

79.2

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

2.40

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=Ауысу15В

Ауысу

4.80

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1,0Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

408

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

119

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

573

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

135

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

21.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

72.4

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

409

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

632

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

188

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

26.4

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

107

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

410

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

123

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

638

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

198

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

28.8

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

112

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=Ауысу15В,

tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

3200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 800А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if= 800А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.85

Ауысу

if= 800А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.85

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=800А,

-di/dt=6700A/μs,

vГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

81.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

518

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

39.4

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=800А,

-di/dt=6700A/μs,

vГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

136

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

646

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

65.2

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=800А,

-di/dt=6700A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

155

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

684

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

76.6

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.036

0.048

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.123

0.163

0.035

Ауысу

К/W

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

1.1

2.5

3.0

Ауысу

2.0

5.0

5.0

Ауысу

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g