1700В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=80лыc

1050

800

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

4.85

кв

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

800

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1600

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

2.50

2.95

Ауысу

Ауысу

v

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

3.00

Ауысу

ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

3.10

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=32,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.4

Ауысу

7.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

54.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.84

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

6.2

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1,5Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

235

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

110

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

390

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

145

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

216

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

152

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=800А,Ауысуrg=Ауысу1,5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

250

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

475

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

280

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

232

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=800А,Ауысу

rg=Ауысу1,5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

254

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

125

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

500

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

160

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

312

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

256

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

2480

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 800А,ВГЭ=0В, Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if= 800А,ВГЭ=0В, Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

if= 800А,ВГЭ=0В, Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=800А,

-di/dt=8400A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

232

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

720

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

134

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=800А,

-di/dt=8400A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

360

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

840

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

222

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC=900V,If=800А,

-di/dt=8400A/μs,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

424

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

880

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

259

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.37

Ауысу

mΩ

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

30.9

49.0

K/kW

rθКС

Қаптамадан суға құюға (IGBT бойынша)

Қаптамадан суға құюға (диод бойынша)

Ауысу

19.6

31.0

Ауысу

K/kW

rθКС

Қаптамадан суға құюға

Ауысу

6.0

Ауысу

K/kW

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ8 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

1.8

8.0

4.25

Ауысу

2.1

10

5.75

Ауысу

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

1500

Ауысу

g